三菱材料開發出了用於(yu) 薄膜矽型太陽能電池電極的Ag（銀）納米墨、ITO（氧化銦錫）納米墨及SiO2墨。這些墨係將納米顆粒分散到墨中製成，塗布在薄膜矽型太陽能電池的Si層上後，可以形成名為(wei) 背麵電極的亞(ya) 微米級厚度的薄膜。其光電轉換效率可與(yu) 原來的真空成膜相當。

薄膜矽型太陽能電池的優(you) 點有：矽用量可減至結晶矽型的1/100左右、能量償(chang) 付期（所發電力達到製造該產(chan) 品所需電力的運行時間）短、與(yu) 化合物半導體(ti) 型太陽能電池相比不容易受Te（碲）等原料用量的限製等。不過，對太陽能電池廠商而言，引進多種真空成膜裝置的初期投資成本高是一個(ge) 很大的問題，需要通過轉變成塗布成膜工藝來大幅降低成本。

據介紹，此次的電極墨，可利用大日本網屏製造（DNS）的塗布裝置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大塊玻璃上穩定成膜。這有利於(yu) 削減薄膜矽型太陽能電池的製造成本。