加州聖何塞--(美國商業(ye) 資訊)--工程基片工藝和技術的領導廠商和束流誘導太陽能電池晶圓製造技術的先鋒企業(ye) Silicon Genesis今天宣布，該公司已經最終確定了用於(yu) 製造薄膜太陽能電池矽晶圓的第二代生產(chan) 係統的規格。該係統設計成功是6年多以來開發、原型測試並與(yu) 太陽能電池合作夥(huo) 伴一起采用眾(zhong) 多設備對太陽能電池材料進行評估的成果。新GenII PolyMaxTM係統的推出得益於(yu) SiGen之前獲取的眾(zhong) 多業(ye) 界首創成就，包括率先製造出獨立式的20um（微米）、50um、85um、120um和150um的125mm和156mm業(ye) 界標準方形無切損單晶矽太陽能電池晶圓。這些成就為(wei) 光伏業(ye) 帶來了首創的真正無切損單晶矽晶圓製造技術。

      PolyMax高產(chan) 量製造係統的推出將推動整個(ge) 產(chan) 業(ye) 在使用更低成本的零浪費晶圓解決(jue) 方案來代替線鋸工藝方麵再前進一步。PolyMax係統的一大關(guan) 鍵優(you) 勢在於(yu) 該係統能夠生產(chan) 出比線鋸技術所能達到的更薄晶圓，從(cong) 而使該行業(ye) 能生產(chan) 出擁有更高光電轉換率和更低成本的太陽能電池。

     Silicon Genesis總裁兼首席執行官Francois Henley表示："我們(men) 相信，太陽能產(chan) 業(ye) 所麵臨(lin) 的嚴(yan) 峻價(jia) 格壓力將進一步推動質子束誘導晶圓製造工藝的推廣。我們(men) 曾在2008年PVSEC大會(hui) 上使用一部200萬(wan) 伏高能質子植入機原型製造出50 um厚的晶圓，首次推出我們(men) 的束流誘導切削技術。我們(men) 相信，使用我們(men) 的技術將大幅削減製造高性能太陽能電池的成本，讓光伏產(chan) 業(ye) 能夠早於(yu) 預期數年在無補貼的情況下實現電網平價(jia) 。這些薄和超薄太陽能晶圓擁有良好的性能，而且已經經過了我們(men) 合作夥(huo) 伴和獨立第三方實驗室的測試。"

      在被問及有關(guan) 其他薄膜矽技術提供商最近發布的新聞稿的問題時，Henley表示："最新發布的這些新聞進一步確認了市場需要能幫助降低高效矽吸光體(ti) 製造成本的新方法和新工藝。我們(men) 曾在2006年在美國國家可再生能源實驗室對Ampulse熱絲(si) 化學氣相沉積（CVD）技術和SiGen層轉移單晶矽薄膜一起進行了評估。我轉而選擇了我們(men) 的直接高能束流誘導切削方法。這一方麵能幫助公司使用他們(men) 新型的紋理支撐技術來製造高品質薄膜。就在我們(men) 的此次新技術公布前不久，Twin Creeks Technologies宣布推出與(yu) 我們(men) 束流誘導晶圓製造工藝類似的工藝，不過據報道他們(men) 的工藝僅(jin) 限於(yu) 生產(chan) 接合式（非獨立式）20um薄膜。作為(wei) 束流誘導晶圓製造技術的先鋒企業(ye) ，而且假定對方沒有使用我們(men) 100多項美國專(zhuan) 利組合中任一種專(zhuan) 利（我們(men) 正在監督），SiGen很高興(xing) 看到另一家公司認識到薄晶體(ti) 矽在幫助大幅降低太陽能電池成本上的重要性。事實是Twin Creeks Technologies在評估了SiGen的束流誘導晶圓商業(ye) 計劃和技術（包括我們(men) 的200萬(wan) 電子伏特植入機原型）之後不久就獲得一家風投公司的資助，這一點值得關(guan) 切。"

      SiGen的束流誘導晶圓製造技術將不僅(jin) 僅(jin) 服務於(yu) 太陽能市場。該核心技術還有能力為(wei) HB-LED以及利用矽、砷化镓、鍺、碳化矽、氮化镓和藍寶石的封裝/3D結構領域新出現的業(ye) 界要求提供高品質的薄膜材料。該技術的關(guan) 鍵優(you) 勢是在保證高性能材料在要求嚴(yan) 苛的最終應用領域有效性的同時將高性能材料的成本降至最低。