日前SNEC 2014國際太陽能產(chan) 業(ye) 及光伏工程(上海)展覽會(hui) 暨會(hui) 議在上海新國際博覽中心隆重舉(ju) 辦。會(hui) 上英飛淩科技為(wei) 觀眾(zhong) 帶來了其最新的產(chan) 品和技術，展示了全方位的太陽能解決(jue) 方案。

隨著全球環境問題的日益突顯，人類社會(hui) 對可再生能源的需求及意識正逐步加溫，包括中國在內(nei) 的許多國家已經將太陽能作為(wei) 重點發展的新能源產(chan) 業(ye) 。

英飛淩已連續十年穩居功率半導體(ti) 市場榜首，是少數能為(wei) 光伏逆變器提供從(cong) 控製器到電力電子在內(nei) 的完整的解決(jue) 方案的半導體(ti) 供應商之一，其綜合產(chan) 品組合為(wei) 太陽能應用提供最佳效率和可靠性。英飛淩憑借超結MOSFET、溝槽柵場終止技術的IGBT、無磁芯變壓器驅動器等前沿技術以及豐(feng) 富的經驗和最優(you) 的質量，保證了其在太陽能應用領域的領軍(jun) 地位。

此次展會(hui) 上，英飛淩呈現的全方位太陽能解決(jue) 方案能夠完全滿足太陽能轉換的三大要求——係統成本低、係統效率高、可靠性佳。通過增加開關(guan) 頻率，降低電磁、護罩、冷卻方麵的成本，從(cong) 而大大降低太陽能轉換的係統成本降。 此外，英飛淩還帶來了其全新的650 CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT產(chan) 品和各種功率等級的光伏用IGBT模塊產(chan) 品。

CoolMOS C7係列是技術上的一次革命性飛躍，在硬開關(guan) 應用的所有標準封裝中都實現了全球最低RDS(on)，TO-247中為(wei) 19mΩ，TO-220和D2PAK中為(wei) 45mΩ，達到同類最佳等級。C7的快速開關(guan) 性能可實現超過100kHz的開關(guan) 頻率，同時在服務器PFC等級上實現了鈦金級效率，提供了提高功率密度的新方法。

TRENCHSTOP 5 IGBT技術重新定義(yi) 了“同類最佳IGBT”的含義(yi) ，可提供無可比擬的效率性能。在要求高效率、低係統成本和高可靠性的應用中，TRENCHSTOP 5是唯一的最佳選擇。全新TRENCHSTOP 5 IGBT極大地降低了開關(guan) 和導通損耗——與(yu) 競爭(zheng) 對手的IGBT相比，其係統效率提升了將近1%——同時具有高達650V的擊穿電壓。

中國是太陽能資源豐(feng) 富的國家之一，具備廣泛應用光伏發電技術的地理條件。中國有荒漠麵積108萬(wan) 平方公裏，主要分布在光照資源豐(feng) 富的西北地區。1平方公裏麵積可安裝100兆瓦光伏陣列，每年可發電1.5億(yi) 度。如果開發利用1%的荒漠，就可以發出相當於(yu) 中國2003年全年的耗電量。在中國的北方、沿海等很多地區，每年的日照量都在2000小時以上，海南更是達到了2400小時以上。

作為(wei) 英飛淩最為(wei) 重要的市場之一，中國的光伏產(chan) 業(ye) 近年取得了快速的發展。英飛淩與(yu) 國內(nei) 合作夥(huo) 伴強強聯手，共同推動著本土的產(chan) 業(ye) 發展。