激光劃片是利用高能激光束照射在工件表麵,使被照射區域局部熔化、氣化、從而達到劃片的目的。激光劃片機主要用於金屬材料及矽、鍺、砷化镓和其他半導體襯底材料劃片和切割,可加工太陽能電池板、矽片、陶瓷片、鋁箔片等,工件精細美觀,切邊光滑。
然而傳統的劃片都是通過劃片砂輪的高速旋轉研磨來完成對Si片的切斷，這種切割方法必然要伴隨冷卻和清洗的較高壓力的水流、劃片刀和Si片接觸產生的壓力和扭力、以及切割下來的Si屑對Si片本身造成的汙染，而這幾點都對MEMS產品造成了致命的威脅。
隨著科技的發展，越來越多的新技術應用到半導體製造設備中來，特別是激光劃片技術的成熟應用，促成了MEMS劃片工藝的技術飛躍，提高了產品的成品率，簡化了製造流程，降低了MEMS製造的成本。在當前的技術條件下，激光切割技術主要有濕式和幹式兩種。
那麽講到激光劃片機技術我們先了解激光劃片技術。該技術是生產集成電路的關鍵技術，其劃線細、精度高(線寬為15-25μm，槽深5-200μm)、加工速度快(可達200mm/s)，成品率達99.5%以上。集成電路生產過程中，在一塊基片上要製備上千個電路，在封裝前要把它們分割成單個管芯。傳統的方法是用金剛石砂輪切割，矽片表麵因受機械力而產生輻射狀裂紋。用激光劃線技術進行劃片，把激光束聚焦在矽片表麵，產生高溫使材料汽化而形成溝槽。
通過調節脈衝重疊量可精確控製刻槽深度，使矽片很容易沿溝槽整齊斷開，也可進行多次割劃而直接切開。由於激光被聚焦成極小的光斑，熱影響區極小，切劃50μm深的溝槽時，在溝槽邊25μm的地方溫升不會影響有源器件的性能。激光劃片是非接觸加工，矽片不會受機械力而產生裂紋。因此可以達到提高矽片利用率、成品率高和切割質量好的目的。還可用於單晶矽、多晶矽、非晶矽太陽能電池的劃片以及矽、鍺、砷化稼和其他半導體襯底材料的劃片與切割。
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