序言
在電子產(chan) 品向高密度、小型化、高可靠方向發展的背景下,柔性線路板(FPC)因為(wei) 其可以自由彎曲、配線密度高、厚度薄等特點,成為(wei) 滿足電子產(chan) 品小型化和移動要求的惟一解決(jue) 方法。在FPC表麵有一層樹酯薄膜,起到線路保護和阻焊等的作用,其主要成分為(wei) 聚酰亞(ya) 氨(Polyimide,PI),工業(ye) 界又稱之為(wei) PI覆蓋膜,它是主鏈上含有酰亞(ya) 胺環(-CO-NH-CO-)的一類聚合物,其中以含有酞酰亞(ya) 胺結構的聚合物最為(wei) 重要。PI覆蓋膜在高溫下具有突出的介電性能、機械性能、耐輻射性能和耐磨性能,廣泛用於(yu) 航空、兵器、電子、電器等精密機械方麵。
隨著激光技術的發展,使用激光切割FPC與(yu) PI覆蓋膜逐漸取代傳(chuan) 統的模切。激光切割屬於(yu) 無接觸加工,無需價(jia) 格昂貴的模具,生產(chan) 成本大大降低,聚焦後的光斑可僅(jin) 有十幾微米,能夠滿足高精度切割和鑽孔的加工需求,這一優(you) 勢正迎合電路設計精密化的發展趨勢,是FPC、PI膜切割的理想工具。
基本加工原理:為(wei) 什麽(me) 選紫外、為(wei) 什麽(me) 選短脈寬
當前用在FPC、PI膜切割的激光器主要為(wei) 納秒級固體(ti) 紫外激光器,波長一般為(wei) 355nm,相對於(yu) 1064nm紅外和532nm綠光,355nm紫外有更高的單光子能量,材料吸收率更高,產(chan) 生的熱影響更小,實現更高的加工精度。脈衝(chong) 激光切割材料分為(wei) 兩(liang) 種原理,一種是光化學原理,利用激光單光子能量達到或超過材料化學鍵鍵能,打斷材料某些化學鍵來實現切割;另一種是光物理原理,當激光單光子能量低於(yu) 材料化學鍵鍵能時,依靠聚焦光斑處非常高的能量密度,超過材料的氣化閾值,從(cong) 而瞬間氣化材料,實現材料的切割。在PI膜的化學鍵結構中,常態下C-C鍵和C-N鍵的鍵能分別為(wei) 3.45eV 和3.17eV,而355nm紫外激光的單光子能量為(wei) 3.49eV,高於(yu) 常態下C-C鍵和C-N鍵的鍵能,可直接破壞材料的化學鍵[1]。但實際在用紫外激光切割FPC或PI膜的應用中,上述兩(liang) 種切割原理同時存在,在光物理效應中,會(hui) 有熱量的產(chan) 生和積累,材料溫度不斷上升。研究表明[2],當 PI 材料溫度高於(yu) 600℃時,相對於(yu) C元素,N和O兩(liang) 種元素的比例會(hui) 不斷減小,最終材料中主要以C元素為(wei) 主,即材料發生碳化。材料吸收激光能量轉化為(wei) 熱能的擴散距離公式 L = [4Dt]^1/2,其中 D為(wei) 材料熱擴散率,t為(wei) 激光脈寬。由此可知當材料一定時,激光脈寬越大,激光產(chan) 生的熱能在材料上的擴散距離越大,也就是說對材料的熱損傷(shang) 越大。
實驗驗證脈寬對切割效果的影響
本實驗所采用的PI覆蓋膜厚度為(wei) 30±2µm,拉伸強度≥160 MPa,熱分解溫度≥500℃。對比單脈衝(chong) 能量為(wei) 20uJ,脈寬分別為(wei) 42ns、21ns以及11ns的切割效果。實驗中保持OVERLAP一致,切割次數2次,實驗檢測設備為(wei) 奧利巴斯BX51光學顯微鏡。
圖1為(wei) 表麵熱影響及粉塵對比,可以明顯發現脈寬越長,切割道附著的粉塵以及顆粒會(hui) 越多,而這些粉塵很容易附著在電路上從(cong) 而引起短路。圖2為(wei) 切割後底部膠層熱影響對比,脈寬為(wei) 42ns時的熱影響約為(wei) 22.7µm;而脈寬為(wei) 21ns以及11ns時切割後底部基本看不到膠層的熔融。通過以上實驗發現脈寬越短越有利於(yu) 覆蓋麵的加工。
全新高頻短脈寬納秒紫外激光器
為(wei) 滿足FPC、PI膜切割行業(ye) 對更少碳化和更快效率的要求,英諾激光在舊款AWAVE係列15W@50KHz納秒紫外激光器的基礎上,推出了新一代高頻短脈寬納秒紫外激光器FORMULA係列15W@50KHz。該款激光器有如下特點:
1.頻率更高。最高頻率可達300K,在200K時最大功率有5.8W,300K時最大功率有2.6W。與(yu) AWAVE 15W@50KHz激光器功率的對比可見圖3。
2.脈寬更窄。最小脈寬僅(jin) 11ns,150K下脈寬也隻有24ns,相比舊款窄了20ns。與(yu) AWAVE 15W@50KHz激光器脈寬的對比可見圖4。
3.光束質量優(you) 秀,M2<1.2,光斑圓度>90%,性能穩定可靠,同時具有突出的性價(jia) 比。
4.一體(ti) 化緊湊型設計,將控製箱和激光頭合二為(wei) 一,更加便於(yu) 設備集成。
FPC、PI膜的切割需要的是高頻高速與(yu) 短脈寬,AWAVE 15W@50KHz受限於(yu) 頻率較低,速度無法加快,並且脈寬較大,所以無法滿足更高的質量要求。而FORMULA 15W@50KHz則彌補了這一不足,有效提升了切割質量。
FORMULA 15W@50KHz與(yu) AWAVE 15W@50KHz激光器切割效果對比
我們(men) 分別針對PI 和FPC做了對比,圖5為(wei) 兩(liang) 款激光器切割PI膜外觀效果對比圖,從(cong) 切割外觀結果可以看出FORMULA 15W@50KHz切割效果要明顯好於(yu) AWAVE 15W@50KHz。
圖5 兩(liang) 款激光器切割PI膜外觀效果對比
圖6為(wei) 兩(liang) 款激光器切割0.16mm厚FPC外觀效果對比圖。憑借FORMULA 15W@50KHz激光器短脈寬與(yu) 高頻率下的高速度,FPC的切割質量更好,熱影響相比舊款減小了約26%,同時有效切割速度從(cong) 50mm/s提高到70mm/s,提高了約40%。
總結
本文主要闡述了納秒紫外激光切割FPC與(yu) PI覆蓋膜的原理及特性,針對該應用更小熱影響及更快效率的需求,我們(men) 推出FORMULA 15W@50KHz高頻短脈寬納秒紫外激光器。分別做了新舊兩(liang) 款激光器切割PI覆蓋膜與(yu) FPC的實驗對比,結果表明,依靠更短脈寬和更快的切割速度,FORMULA 15W@50KHz激光器的切割效果有明顯改善,熱影響更小,同時切割效率也有較大提高。
參考文獻
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[2] 張鵬, 遲偉(wei) 東(dong) , 沈曾民. 高溫炭化對聚酰亞(ya) 胺(PI)薄膜結構與(yu) 性能的影響[J]. 炭素技術, 2008, 27(6):10-12.
該論文由深圳市海外高層次人才資金資助(項目編號:KQTD20130417155348471)
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