微芯片無處不在，很容易忽略它們(men) 的真正傑出之處。像溫控器或唱歌賀卡這樣的普通物品，包含數百萬(wan) 個(ge) 微觀結構，這些微觀結構是有史以來最傑出的製造工藝之一。

自1977年左右以來，當前的流程一直在發展，其工作方式類似於(yu) 投影儀(yi) 。激光通過掩膜發出的光，就像芯片的設計圖一樣，然後將掩膜投射到塗在矽板上的光敏化學品上。結果幾乎就像曝光照片一樣：光將芯片的圖像傳(chuan) 輸到矽上，在矽上可以將其直接蝕刻到金屬中。這個(ge) 過程稱為(wei) 光刻，隨著它變得越來越先進，晶體(ti) 管變得越來越小，越來越快並且更加節能。

製造芯片的特定機製已經非常複雜，需要原子級的精度和某些有史以來最精確的製造工具，但是當前的方法有其局限性。這個(ge) 過程已經使用了將近15年，而且已經用盡了。現在，芯片上晶體(ti) 管的部分尺寸約為(wei) 7至10納米，遠小於(yu) 用於(yu) 製造它們(men) 的193nm紫外線。

如果我們(men) 要繼續製造更好，更快的芯片，製造商需要重新設計工藝，而新工藝是極紫外光刻或EUV。多年來，公司一直致力於(yu) 開發芯片製造的下一步，而我們(men) 剛剛看到第一批使用EUV製成的設備進入市場。

要了解有關(guan) 此過程的更多信息，我去了英特爾的兩(liang) 家製造工廠，他們(men) 正在開發EUV，親(qin) 自看一下機器，並了解有關(guan) 這種極端製造的更多信息。

EUV仍是一項革命性的飛躍，仍將芯片藍圖投射到矽上，但是它使用波長極小的光來做到這一點，這對於(yu) 創建微小的特征更好。

在這些微小的波長下，幾乎所有的東(dong) 西都吸收紫外線，而典型的激光無法產(chan) 生紫外線。該過程更加奇特，涉及液態金屬和高能等離子體(ti) 。技術挑戰巨大，但回報是我們(men) 設備速度和能源效率的飛躍。