第十一屆中國電子信息博覽會(hui) （CITE 2023）將於(yu) 2023年4月7-9日登陸深圳會(hui) 展中心（福田），以“創新引領 協同發展”為(wei) 主題，在80000平方米展示麵積打造全產(chan) 業(ye) 鏈科技應用場景，硬科技同台“飆技”，掀起一場信息產(chan) 業(ye) 的新浪潮！屆時，上海功成半導體(ti) 科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。

上海功成半導體(ti) 科技有限公司（CoolSemi）成立於(yu) 2018年5月，總部位於(yu) 上海，在無錫、深圳、成都等地設立分公司。功成半導體(ti) 以市場需求為(wei) 導向，技術創新驅動，致力於(yu) 半導體(ti) 功率器件的研發與(yu) 產(chan) 業(ye) 化，為(wei) 客戶提供高效可靠的產(chan) 品。主要從(cong) 事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結SJ、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設計和研發。

展品1

展品名稱：SJ MOSFET

展品類別：功率器件

展品特點：SJ  MOSFET（Super Junction  MOSFET）超結功率器件采用N型和P型周期排列結型耐壓層，突破了傳(chuan) 統矽基MOS器件的理論極限，相對於(yu) 傳(chuan) 統平麵VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方關(guan) 係，SJ  MOSFET的導通電阻與(yu) 擊穿電壓達到近似線性的關(guan) 係。因此SJ  MOSFET的導通電阻RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到明顯降低，成為(wei) 高壓開關(guan) 轉換器領域的高效率典型功率器件。

CoolSemi的高壓SJ  MOSFET，在全球領先的華虹宏力Deep-Trench工藝平台上，采用專(zhuan) 利器件結構及特色工藝，開發出了覆蓋500V~1000V電壓平台和14mΩ~4000mΩ導通電阻的G1、G2、G3、G4、G5係列產(chan) 品。憑借針對開關(guan) 速度、反向恢複時間、開關(guan) 損耗、EMI兼容性、高可靠性的獨特優(you) 化設計，產(chan) 品不僅(jin) 在充電樁、工業(ye) 電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業(ye) 和車載產(chan) 品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域廣泛應用。

典型應用產(chan) 品：充電樁、工業(ye) 電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業(ye) 和車載產(chan) 品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域

展品2

展品名稱：IGBT

展品類別：功率器件

展品特點：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體(ti) 管，是在普通VDMOS基礎上，晶圓背麵增加了P+注入，利用電導調製效應在漂移區增加載流子數量，從(cong) 而大幅度降低器件的導通電阻和芯片麵積。IGBT器件電流密度高且功耗低，能夠顯著提高能效、降低散熱需求，適用於(yu) 高電壓、大電流等大功率場景。

Coolsemi的IGBT采用目前業(ye) 內(nei) 最新的trench FS工藝，依托於(yu) 國內(nei) 成熟且工藝領先的8寸/12寸晶圓生產(chan) 線，擁有更低的導通壓降和開關(guan) 損耗，以及更強的可靠性。目前功成IGBT產(chan) 品根據應用場景的不同，擁有F、S、D、L等係列，覆蓋了600V~1200V以及5A~100A的功率範圍，廣泛應用於(yu) 通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關(guan) 電源以及汽車電子等領域。

典型應用產(chan) 品：通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關(guan) 電源以及汽車電子等領域。