InGaAs和Ge光電二極管探測器都普遍應用於紅外（近紅外）波段。Newport提供各種可溯源NIST的InGaAs和Ge探測器（例如：低功率校準光電二極管探測器918D和818係列）。這些探測器的參數很相近，除了一些關鍵部分：如分流電阻和芯片電容。然而，這些差異導致了很大的性能和價格差異。
分流電阻
分流電阻最好是無限大，但是每個光電二極管有一個有限值，產生Johnson噪聲，這個Johnson噪聲跟分流電阻成反比。因此，為了最小化噪聲，需要在測量係統中設計最大可能的電阻值。Ge和InGaAs有所不同，InGaAs探測器的分流電阻達到10MΩ量級，而Ge探測器的分流電阻在kΩ量級，小了若幹個量級。因此，Ge探測器會比InGaAs探測器呈現出更高的噪聲。
有效麵積越大越好？
有些廠商的Ge探測器有效麵積很大，但用戶們需注意，更大的有效麵積會導致更大的暗電流和更小的分流電阻，越小的分流電阻會引起更高的熱噪聲，越大的暗電流會引起更高的散粒噪聲。Ge的暗電流比InGaAs的暗電流高很多，大的有效麵積可能引入高噪聲電流。Newport的Ge探測器的有效麵積為3mm，相比於5mm的二極管，如果其他都相同，3mm二極管的分流電阻值會大3倍，而暗電流則小3倍。
Newport 918D/818係列InGaAs和Ge探測器的參數對比
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