來自美國空軍研究實驗室（位於俄亥俄州的賴特-帕特森空軍基地），威爾實驗室（位於俄亥俄州代頓市），SelectTech服務公司（位於俄亥俄州森特維爾市）和衛斯理大學（位於康涅狄格州米德爾敦市）的研究人員共同創建了第一個光限幅器，它主要通過光反射而不是光吸收來實現限光功能。
光限幅器允許低強度的光通過，但當光強度超過一定水平時，則會關閉係統阻止光通過，這對某些激光係統十分有用，不僅可以防止高強度光進一步損壞激光/光學係統中的組件，還能實現一些其他預期的實驗效果。
然而，通過吸收來實現限光會對光限幅器本身產生損害。因此，空軍研究實驗室研製的反射型光限幅器是一個顯著的進步，此外，反射高強度光預計還可以用於其它實驗目的。
這款光限幅器包含非晶二氧化矽（SiO2）和氮化矽（Si3N4）交互層，中間是一層砷化镓（GaAs）層（下稱“缺陷”層）。在低光強時，缺陷模所引起的諧振使該器件具有高的光透射率，而當光強超過某個水平，缺陷層中的雙光子吸收會破壞共振模式，使整個器件具有較高反射率。
研究人員表示，由於砷化镓的光學性能限製，實驗用的光限幅器件工作波長以1600納米為中心，而選用其他材料可以使器件工作在其他波長範圍內。
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