盤點 | 2016年中國十大亮點光學產業技術

長飛公司成功開發出國內最大芯數氣吹微型光纜

光纖通信作為速度最快、傳輸質量最好的通信方式而被廣泛使用。然而在網絡建設上，隨著管道資源的緊張，用戶對管道的空間利用率、施工效率和維護的便利性等提出了更高的要求，氣吹微管微纜技術作為一種成熟的光纜網絡敷設技術，已在海外市場被廣泛使用。

長飛公司采用普通單模光纖成功開發出目前國內最大芯數的氣吹微纜產品。該產品在一根直徑僅11 mm的光纜中容納了432根光纖，光纜中光纖密度高達4.4 F/mm2，可以很好地應用於16/13.5 mm管道中進行氣吹敷設。

武漢光電國家實驗室研製出世界最大金屬零件高精度3D打印裝備

金屬零件的激光3D打印技術是各種3D打印技術中難度係數最大、也最受國內外關注的方向之一。我國在基於自動鋪粉的激光選區熔化成形技術（Selective Laser Melting，SLM）,與國際先進水平相比有較大差距，大部分裝備依賴進口。

華中科技大學武漢光電國家實驗室曾曉雁教授課題組，經過十年的長期努力，首次在SLM裝備中引入雙向鋪粉技術，其成形效率高出同類裝備的20%~40%，標誌著我國自主研製的SLM成形技術與裝備達到了國際先進水平。

長春光機所研製世界麵積最大高精度衍射光柵

長春光機所承擔的國家重大科研裝備研製項目“大型高精度衍射光柵刻劃係統”，研製出在1 mm距離裏劃出6000道刻槽並且保持槽型均勻，刻槽間距誤差小於一根頭發絲的千分之一，成為世界上麵積最大的高精度中階梯光柵。

炬光科技基於巴條的高功率半導體激光器封裝關鍵技術及工業化應用

炬光科技開展了高功率半導體激光器封裝基礎科學問題研究，突破了封裝技術和工藝瓶頸，開發了關鍵封裝和測試裝備，形成自主知識產權的高功率半導體激光器封裝技術體係，刷新多項國內及國際記錄。並率先以“產-學-研”模式進行成果轉化，建立年產能達50萬支能力，多款產品的整體性能達國際先進水平。

武漢郵科院光傳輸刷新世界紀錄，一根光纖可供48 億人同時通話

隨著AR/VR、4K 高清等技術不斷湧現，在互聯網+、物聯網、大數據、雲計算、智慧城市等多個產業領域，都依賴海量數據的高速傳輸，這就需要底層的信息高速公路越寬越好。

武漢郵科院最新研製的光傳輸紀錄，達到每秒400 T，相當於1 s可傳輸4萬部藍光高清電影、一根頭發絲粗細的光纖可容納全球48 億人同時在線通話。

這一重大突破，在於攻克了特殊多芯單模光纖技術，能支撐超大容量光傳輸。為了這一技術，郵科院投入的研發經費已超過10 億元。

高德紅外研製國產紅外探測器打破國外40 多年技術封鎖

湖北武漢高德紅外公司曆時8年攻堅，研發投入總計超過20億元，使紅外熱傳像核心探測器實現完全自主研發，打破了西方長達40餘年的封鎖。

2016年上半年，我國首條非製冷紅外焦平麵探測器生產線在高德紅外投產，滿產後可年產上百萬支探測器，軍民兩用。另一條更為先進的製冷紅外焦平麵探測器生產線，可年產四五千支探測器，主要用於高端武器裝備。

在夜間完全無光源的情況下，形同“超級貓眼”的探測器可清晰夜視幾十公裏，跟蹤空中飛機目標距離可達300~400 km。

天津東方銳鐳公司研製出國產1.2萬瓦工業級光纖激光器

駐津央企中國電子科技集團公司光電研究院天津東方銳鐳公司聯合國防科學技術大學高能激光技術團隊，成功研製出功率達1.2萬瓦的工業級光纖激光器，其綜合性能指標達國際一流水準。此前，高功率光纖激光器被國外少數幾家企業壟斷。該產品的問世，使得國產萬瓦光纖激光器水平再上新台階。

禾賽科技發布首台國產32線激光雷達

在第十八屆中國國際工業博覽會上, 禾賽科技首次對外公布了無人駕駛及輔助駕駛可用的32線激光雷達（LiDAR），並大膽公布實測視頻。

目前，激光雷達處於“有賽道，有賽手，沒有裁判員”的局麵，各生產商紙麵上的量化指標非常接近，隻能通過實測效果來分辨高下。該產品采用混合固態設計，水平視場角360°，垂直視場角30°，可實現150米探測距離，已完成大量公開路測。

禾賽科技表示，其從設計之初，就注重自動化裝調，未來可在1萬台訂單量的情況下將單價控製在500美金，甚至更低。

我國首部全固態太赫茲成像雷達係統樣機研製成功

太赫茲技術是近年來國內外的研究熱點。這次研製的太赫茲成像雷達係統由中國電科14所智能感知技術重點實驗室研製，並獲得首幅ISAR圖像，成像分辨率、成像副瓣電平等指標均達到預期效果，標誌著中國電科的太赫茲成像雷達相關技術已經達到國內一流、國際先進水平。

寧波諾丁漢大學研發出可商業化量產的可調激光器芯片

寧波諾丁漢大學章雅平教授帶領的團隊研發出了商業化量產可調激光器芯片，填補了我國在商用高端光電子芯片領域的空白，讓我國不僅擁有了高端光電子“中國芯”，還在同類技術發展方麵達到、甚至超過國際先進水平。

目前，該商業化量產芯片的成品率已經達到85%以上，芯片的連續波出光功率普遍達到70~120 mW以上，單個芯片的波長連續可調諧範圍為8.5~10 nm，調諧速度為納秒級。

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