非線性光學晶體是對於激光強電場顯示二次以上非線性光學效應的晶體，它是一種功能材料，其中的倍頻（或稱“變頻”）晶體可用來對激光波長進行變頻，從而擴展激光器的可調諧範圍，在激光技術領域具有重要應用價值。

亞硒酸鹽化合物含有活性孤對電子的Se4＋，在外光電場作用下容易誘導出強的極化，從而產生大的非線性光學效應，在二階非線性光學材料探索中有著重要的研究價值。

長期以來，增強亞硒酸鹽非線性光學材料的非線性光學效應主要是通過引入具有二階薑－泰勒效應的d0過渡金屬陽離子（如Ti4＋，Nb5＋，V5＋，Mo6＋等）等手段來實現的。然而，缺憾是當引入d0過渡金屬陽離子增強光學效應的同時，通常會顯著地減小材料的帶隙值，並伴隨著較差的抗激光損傷性能。

日前，中國科學院理化技術研究所晶體中心林哲帥研究組在亞硒酸鹽材料體係中，提出異價取代調控能帶結構的分子設計策略，發現並合成了一例在可相位匹配的亞硒酸鹽非線性光學材料中具有最寬帶隙的新型材料Pb2GaF2（SeO3）2Cl。

研究人員通過移除過渡金屬、引入主族元素和高電負性的氟元素，Pb2GaF2（SeO3）2Cl的帶隙擴寬至4.32 eV，且抗激光損傷閾值是現有同構材料的三倍，提高至120 MW／cm2。此外，Pb2GaF2（SeO3）2Cl還表現出了較強的非線性光學響應，其倍頻信號強度是同等粒徑下KDP樣品的4.5倍，在未來的高功率激光倍頻領域有潛在的應用價值。