據麥姆斯谘詢報道，增強模式氮化镓（GaN）功率管理器件領導廠商宜普（EPC）近日宣布為汽車行業和其他惡劣環境激光雷達（LiDAR）係統設計的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協會AEC Q101認證。
EPC率先推出了增強模式矽基氮化镓（eGaN）FET，可替代眾多應用中的功率MOSFET，如 DC－DC轉換器、無線功率傳輸、包絡跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、LiDAR以及D類音頻放大器等，其性能高於最好的矽功率MOSFET數倍。
eGaN技術已經大規模量產超過9年，在多個領域積累了數十億小時的實際應用經驗，例如：汽車應用的LiDAR和自動駕駛汽車雷達，數據中心計算機應用的48 V－12 V DC－DC轉換器，超高保真信息娛樂係統和卡車用高強度前照燈等。EPC推出的這款新器件已經完成了嚴格的汽車AEC Q101認證測試，還將推出幾款專為惡劣汽車應用環境設計的分立晶體管和集成電路。
EPC2214是一款80 V、20 mΩ、eGaN FET，具有47 A的脈衝電流，占位麵積僅為1.8平方毫米，非常適合用於LiDAR係統中的激光器，因為eGaN FET可以觸發以產生極短脈衝寬度的高電流。短脈衝寬度可以實現更高的分辨率，而更高的脈衝電流可使LiDAR探測並識別更遠距離的物體。憑借這兩種特性，以及小尺寸和低成本優勢，使eGaN FET成為高要求汽車應用LiDAR以及雷達、超聲波傳感器的理想選擇。
為了完成AEC Q101測試，EPC的eGaN FET經受了嚴格的環境和偏壓應力測試，包括偏壓濕度測試（H3TRB）、高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、溫度循環（TC）以及其他幾項測試。值得注意的是，EPC的晶圓級芯片（WLCS）封裝通過了針對傳統封裝器件創建的所有相同測試標準，證明了芯片級封裝的卓越性能不會影響器件的堅固性或可靠性。這些eGaN器件由經過汽車質量管理體係標準IATF 16949認證的工廠生產。
EPC首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow指出：“這種新型汽車產品是EPC晶體管和集成電路的最新產品，旨在實現自動駕駛並提高燃油經濟性和安全性。我們的eGaN技術比當今車輛中使用的老舊矽功率MOSFET更快、更小、更高效、更經濟、更可靠。”
EPC率先推出了增強模式矽基氮化镓（eGaN）FET，可替代眾多應用中的功率MOSFET，如 DC－DC轉換器、無線功率傳輸、包絡跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、LiDAR以及D類音頻放大器等，其性能高於最好的矽功率MOSFET數倍。
eGaN技術已經大規模量產超過9年，在多個領域積累了數十億小時的實際應用經驗，例如：汽車應用的LiDAR和自動駕駛汽車雷達，數據中心計算機應用的48 V－12 V DC－DC轉換器，超高保真信息娛樂係統和卡車用高強度前照燈等。EPC推出的這款新器件已經完成了嚴格的汽車AEC Q101認證測試，還將推出幾款專為惡劣汽車應用環境設計的分立晶體管和集成電路。
EPC2214是一款80 V、20 mΩ、eGaN FET，具有47 A的脈衝電流，占位麵積僅為1.8平方毫米，非常適合用於LiDAR係統中的激光器，因為eGaN FET可以觸發以產生極短脈衝寬度的高電流。短脈衝寬度可以實現更高的分辨率，而更高的脈衝電流可使LiDAR探測並識別更遠距離的物體。憑借這兩種特性，以及小尺寸和低成本優勢，使eGaN FET成為高要求汽車應用LiDAR以及雷達、超聲波傳感器的理想選擇。
為了完成AEC Q101測試，EPC的eGaN FET經受了嚴格的環境和偏壓應力測試，包括偏壓濕度測試（H3TRB）、高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、溫度循環（TC）以及其他幾項測試。值得注意的是，EPC的晶圓級芯片（WLCS）封裝通過了針對傳統封裝器件創建的所有相同測試標準，證明了芯片級封裝的卓越性能不會影響器件的堅固性或可靠性。這些eGaN器件由經過汽車質量管理體係標準IATF 16949認證的工廠生產。
EPC首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow指出：“這種新型汽車產品是EPC晶體管和集成電路的最新產品，旨在實現自動駕駛並提高燃油經濟性和安全性。我們的eGaN技術比當今車輛中使用的老舊矽功率MOSFET更快、更小、更高效、更經濟、更可靠。”
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