前言

常規紫外投影光刻機需要先製作掩模板，耗材成本高、製備周期長，很難滿足材料器件實驗室對靈活性和實驗進度的要求。近年發展起來的無掩模光刻技術突破這一技術限製，實現任意形狀編程、全自動高精度大尺度拚接的無掩模光刻，隨時將您的設計轉化為(wei) 實際的成品，大幅度減少研製測試周期，強有力地助攻微納器件製備工作。

概念

紫外投影光刻通過將特定形狀的光斑投射到器件表麵塗敷的光刻膠上，光刻膠被輻照區域產(chan) 生化學變化，在曝光、顯影後即可形成微米精度的圖樣；通過進一步的刻蝕或蒸鍍，最終可在樣品表麵形成所需要的結構。作為(wei) 材料、器件、微結構與(yu) 微器件常用的製備技術，紫外投影光刻被廣泛用於(yu) 維納結構製備、半導體(ti) 器件電極製備、太赫茲(zi) ／毫米波器件製備、光學掩模版製備、PCB製造等應用中。

先鋒科技代理品牌TuoTuo科技，其基於(yu) 多年微納結構製備經驗，自主研發高均勻度紫外光源，高保真指引光路，高精度、大行程、大承載納米位移台等核心技術，結合高穩定機械結構、自動化和軟件設計，推出全自動高精度無掩模光刻機。

特性

此款無掩模步進式UV光刻機實力強勁，優(you) 勢明顯，主要表現在如下三個(ge) 方麵：

一、高分辨率

專(zhuan) 有設計的投影光路確保亞(ya) 微米的刻寫(xie) 精度，典型值可以達到幾百納米；

圖1 樣例電極在5x － 100x顯微鏡下的圖樣

二、無掩模光刻，所見即所得

傳(chuan) 統的掩模板光刻需要針對特定形狀的器件製作專(zhuan) 門的掩模；在器件研發的進程中，不停地設計製作掩模板耗費了大量的成本和時間。無掩模光刻技術無需掩模板，隨時可以按照需求刻寫(xie) 任意圖案，非常適合實驗室對光刻機的靈活、多樣、即時、便利的要求。

圖2 刻寫(xie) 過程說明

圖2為(wei) 刻寫(xie) 過程的簡要說明。樣品表麵旋塗光刻膠後置入光刻機，需刻寫(xie) 圖案以位圖方式導入軟件。指引光在樣品的實時圖像表示即將刻寫(xie) 的內(nei) 容，可通過軟件將圖像平移／縮放／旋轉，以精確調節刻寫(xie) 位置。經過刻寫(xie) 、顯影及後處理，即可獲得需要的微結構。

圖3套刻功能

在已有結構的樣品上增刻新的結構通常稱為(wei) “套刻”；通過指引光可以方便的指引即將刻寫(xie) 的位置，並可通過軟件進行角度、尺寸等調整，調整完成後即可將新結構精確的套刻至原結構之上。

三、高精度拚接功能

圖4 拚接功能；右下圖為(wei) 全幅待刻寫(xie) 圖樣，左下圖為(wei) 單次曝光區域

單次曝光能夠刻寫(xie) 的區域受顯微物鏡視場限製，高分辨刻寫(xie) 時刻寫(xie) 區域較小。大區域、高分辨刻寫(xie) 時，係統通過樣品平移掃描的方式進行拚接刻寫(xie) 。

拚接刻寫(xie) 完全是自動化的，用戶隻需要導入所需要的圖形即可。可使用軟件對圖形進行縮放、旋轉、平移等操作，以實現理想的定位和尺寸。

拚接所采用的高精度平移台保證±100nm的絕對定位精度，確保亞(ya) 微米尺度光刻的無縫過渡。最大拚接尺寸可達200mm。

無掩模光刻係統的圖樣可以實時調整，所以拚刻的圖形可以是任意形狀的而不限於(yu) 周期圖樣。

除此之外，無掩模步進式UV光刻機還具有如下高級功能：

電動Z軸平移及自動對焦：可方便用戶對焦，並實現對表麵凹凸、傾(qing) 斜樣品的準確刻寫(xie) ；

環境防護：標配UV防護功能；標配機箱除濕功能，確保長時間自動光刻時樣品不受濕度變化影響；

灰度刻寫(xie) 功能：支持對指定區域的曝光量進行設定，實現灰度刻寫(xie) ；

訂製手套箱兼容的光刻係統，樣品自旋塗－曝光－顯影－後處理均在手套箱內(nei) 完成，適用於(yu) 對氧氣敏感的樣品；

圖5 已交互客戶的手套箱內(nei) UV光刻係統示意圖

技術支持與(yu) 試樣、試用

立足國內(nei) ，提供從(cong) 售前至售後全天候技術支持。歡迎您隨時預約參觀試用儀(yi) 器，或聯係我司試樣。