4月7日，記者從(cong) 山西大學獲悉，山西大學激光光譜研究所陳旭遠教授帶領的團隊在三維豎直石墨烯製備及儲(chu) 能應用領域取得突破性進展。

研究成果近日發表在《ACS Appl. Mater. Interfaces》上。論文第一作者為(wei) 博士生韓傑敏，通訊作者為(wei) 馬一飛副教授、王梅教授和陳旭遠教授，論文合作者還包括賈鎖堂教授、肖連團教授。

據介紹，等離子體(ti) 增強化學氣相沉積工藝合成的豎直石墨烯集合了石墨烯的固有特性和三維結構帶來的優(you) 勢，在儲(chu) 能領域展示出巨大前景。

然而在前期研究中發現，豎直石墨烯的實際應用受到其高度飽和現象的限製，無法在高能量、高功率的超級電容器上充分發揮優(you) 勢。豎直石墨烯高度通常在幾百納米至幾微米，其高度飽和是由於(yu) 豎直石墨烯片層隨著沉積時間增長而聚合，改變了等離子體(ti) 中鞘層電勢使其分布趨於(yu) 均勻，導致沉積過程中的活性粒子分布也趨於(yu) 均勻，失去了在豎直方向的沉積優(you) 勢。

陳旭遠團隊開發了一種氧輔助“修正”(OAT)工藝以消除過密的石墨烯片層，阻止片層隨時間增長而聚集，克服了生長過程中豎直石墨烯厚度飽和的現象。

未聚合的豎直石墨烯

(a)結構示意圖 (b)表層電勢分布 (c)截麵圖聚合後的豎直石墨烯

(d)結構示意圖 (e)表層電勢分布 (f)截麵圖

山西大學激光光譜研究所 提供。

陳旭遠團隊利用這種方法合成了高達80微米的超高豎直石墨烯，並應用於(yu) 超級電容器中，獲得了241.35mF cm^–2 的麵積比電容，展現出了優(you) 越的電化學性能及儲(chu) 能能力。值得注意的是，80微米的高度並非該合成技術所能達到的最大值，通過氧輔助“修正”工藝可以獲得任意高度的豎直石墨烯。這項工作對於(yu) 高負載豎直石墨烯的合成具有重要的指導意義(yi) 。與(yu) IC兼容的製造工藝和出色的儲(chu) 能能力使得OAT豎直石墨烯在集成芯片、器件領域中具有非常大的應用潛力。