隨著半導體(ti) 製造技術的不斷發展和超大規模集成電路設計製造能力的不斷提升,激光退火技術逐漸取代傳(chuan) 統爐管退火技術,成為(wei) 半導體(ti) 製造領域的主流技術。激光退火相對於(yu) 傳(chuan) 統退火,具有選區加熱、閉環精準控溫、高能量密度、連續能量輸出穩定等特點,能夠滿足均溫退火、尖峰退火和快閃退火等多種退火工藝需求。
應用 激光退火(Laser Annealing)是28nm及以下邏輯芯片製造前道工序中不可缺少的關(guan) 鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導體(ti) 激光光源,通過多組不同功能的激光光學整形係統及光學勻化係統,在工作距離下可達成12mm*70μm的極窄線激光光斑,將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表麵,在不到1毫秒的時間內(nei) 將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻,從(cong) 而有效減少前道工序中產(chan) 生的晶圓電極缺陷,提高產(chan) 品性能,提升晶圓生產(chan) 良品率。 產(chan) 品 炬光科技推出的DLight®S係列半導體(ti) 集成電路晶圓退火係統,結合了產(chan) 生光子的共晶鍵合技術、激光光源熱管理技術、熱應力控製技術以及調控光子的激光光束轉換技術和光場勻化技術,可生成一條線寬70μm,長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑,提供高達1800W/mm2的連續能量輸出,在光斑長度方向上可達到>95%的光斑均勻性和>98%的連續輸出能量穩定性,同時還具備工藝點溫度監測,輸出光束質量在線檢測等附加功能。 其關(guan) 鍵性能指標有(參考圖片測試數據):
DLight®S係列半導體(ti) 集成電路晶圓退火係統在設計時充分考慮了加工效率、維護便捷性、產(chan) 品可靠性及可拓展性,具有極佳的性能優(you) 勢,可應用在半導體(ti) 前道工序中,完成動態表麵退火(DSA)、激光尖峰退火(LSA)等加工工藝。 DLight®S係列半導體(ti) 集成電路晶圓退火係統 炬光科技將通過技術創新、卓越製造和快速響應,為(wei) 成為(wei) 全球可信賴的光子應用解決(jue) 方案提供商而不斷努力。典型產(chan) 品測試數據
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