日前，長光華芯科創板IPO提交注冊(ce) 。公司主要產(chan) 品包括高功率單管係列產(chan) 品、高功率巴條係列產(chan) 品、高效率VCSEL係列產(chan) 品及光通信芯片係列產(chan) 品等，可應用於(yu) 激光智能製造裝備、國家戰略高技術、科學研究、醫學美容等領域，逐步實現半導體(ti) 激光芯片自主可控。公司本次擬募資13.48億(yi) 元，用於(yu) 高功率激光芯片、器件、模塊產(chan) 能擴充等項目。

擁有多項關(guan) 鍵核心技術

長光華芯聚焦半導體(ti) 激光行業(ye) ，經多年發展，目前已形成由半導體(ti) 激光芯片、器件、模塊及直接半導體(ti) 激光器構成的四大類、多係列產(chan) 品矩陣，為(wei) 半導體(ti) 激光行業(ye) 的垂直產(chan) 業(ye) 鏈公司。

公司表示，經過多年的研發和產(chan) 業(ye) 化積累，針對半導體(ti) 激光行業(ye) 核心的芯片環節，公司已建成覆蓋芯片設計、外延、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平台和3吋、6吋量產(chan) 線。

據介紹，目前3吋量產(chan) 線為(wei) 半導體(ti) 激光行業(ye) 內(nei) 的主流產(chan) 線規格，而6吋量產(chan) 線為(wei) 該行業(ye) 內(nei) 最大尺寸的產(chan) 線，相當於(yu) 矽基半導體(ti) 的12吋量產(chan) 線，應用於(yu) 多款半導體(ti) 激光芯片開發，突破一係列關(guan) 鍵技術。同時，依托公司半導體(ti) 激光芯片的技術優(you) 勢，公司業(ye) 務向下遊延伸，開發器件、模塊及終端直接半導體(ti) 激光器，上下遊協同發展，在半導體(ti) 激光行業(ye) 的綜合實力逐步提升。

公司擁有多項關(guan) 鍵核心技術，包括器件設計及外延生長技術、FAB晶圓工藝技術、腔麵鈍化處理技術、高亮度合束及光纖耦合技術等。公司產(chan) 品在功率、電光轉換效率、壽命等方麵屢次實現技術突破。隨著生產(chan) 技術不斷提高及生產(chan) 工藝不斷改進，2018年至2020年，公司激光芯片生產(chan) 的良率不斷提高，複合增長率達到33.40%。良率是提高芯片產(chan) 量、降低生產(chan) 成本的重要因素。

招股書(shu) 顯示，公司本次擬募資13.84億(yi) 元，主要用於(yu) 高功率激光芯片、器件、模塊產(chan) 能擴充項目；垂直腔麵發射半導體(ti) 激光器（VCSEL）及光通訊激光芯片產(chan) 業(ye) 化項目；研發中心建設項目等。公司表示，募集資金項目的建設達產(chan) 將進一步擴大公司產(chan) 能，提高公司的銷售規模和市場占有率，提升公司競爭(zheng) 力。

半導體(ti) 激光芯片技術領先

招股書(shu) 顯示，公司係半導體(ti) 激光行業(ye) 全球少數具備高功率激光芯片量產(chan) 能力的企業(ye) 之一，打破了我國激光行業(ye) 上遊核心環節半導體(ti) 激光芯片依賴國外進口的局麵，逐步實現半導體(ti) 激光芯片的自主可控。

自設立以來，公司獨立承擔、牽頭主持或參與(yu) 國家科技部“十三五”國家重點研發計劃項目等眾(zhong) 多國家級科技攻關(guan) 項目，設立了國家級博士後工作站、江蘇省博士後創新實踐基地、江蘇省工程技術中心、江蘇省研究生工作站及蘇州市工程技術中心等。

公司表示，針對半導體(ti) 激光行業(ye) 應用場景多元化、複雜化的發展趨勢，公司憑借在高功率半導體(ti) 激光芯片領域的技術積累，構建了GaAs（砷化镓）和InP（磷化銦）兩(liang) 大材料體(ti) 係，建立了邊發射和麵發射兩(liang) 大工藝技術平台，縱向延伸開發器件、模塊及直接半導體(ti) 激光器等下遊產(chan) 品，橫向擴展VCSEL芯片及光通信芯片領域。

在外延方麵，公司通過非對稱的波導結構設計，解決(jue) 了一次外延技術的難點，並率先提出並采用分布式載流子注入技術，進一步提升半導體(ti) 激光器的輸出功率。

此外，公司采用腔麵鈍化處理技術率先提出自主創新的腔麵鈍化及窗口製備方案，製備高穩定性及高重複性的寬帶隙腔麵無吸收窗口結構，大幅降低了激光器腔麵的激光吸收從(cong) 而減少熱量產(chan) 生，提高芯片抗損傷(shang) 閾值，最終實現芯片輸出功率及可靠性的提升。

目前，公司半導體(ti) 激光單管芯片可實現30W的高功率激光輸出，半導體(ti) 激光巴條芯片可實現50W-250W的連續激光輸出及500W-1000W的準連續激光輸出，產(chan) 品性能指標居於(yu) 國內(nei) 領先、國際先進水平。

存在產(chan) 品價(jia) 格下降等風險

報告期內(nei) （2018年-2020年及2021年1-6月），公司分別實現營收9243.44萬(wan) 元、1.39億(yi) 元、2.47億(yi) 元及1.91億(yi) 元；淨利潤分別為(wei) -1.44億(yi) 元、-1.29億(yi) 元、5.39萬(wan) 元、5580萬(wan) 元。

公司在招股書(shu) 中表示，報告期內(nei) ，受產(chan) 業(ye) 鏈整體(ti) 價(jia) 格下降以及國內(nei) 外廠商的競爭(zheng) 策略影響，公司單管芯片產(chan) 品價(jia) 格分別為(wei) 42.44元/顆、31.95元/顆、18.95元/顆和14.10元/顆，光纖耦合模塊產(chan) 品價(jia) 格分別為(wei) 3511.26元/個(ge) 、3176.64元/個(ge) 、2758.52元/個(ge) 和2641.23元/個(ge) ，呈下降趨勢。

公司表示，若未來產(chan) 品價(jia) 格持續下降，而公司未能采取有效措施，鞏固和增強產(chan) 品的綜合競爭(zheng) 力、降低產(chan) 品生產(chan) 成本，公司可能難以有效應對產(chan) 品價(jia) 格下降的風險，導致利潤率水平有所降低。

同時，公司提示，報告期各期末，公司存貨賬麵價(jia) 值分別為(wei) 3948.4萬(wan) 元、7041.71萬(wan) 元、9905.94萬(wan) 元及12055.04萬(wan) 元，占淨資產(chan) 的比例分別為(wei) 39.39%、27.69%、19.40%和21.42%。

公司表示，若客戶單方麵取消訂單，或因客戶自身需求變更等因素減少訂單計劃，可能導致公司存貨的可變現淨值低於(yu) 成本；另一方麵，公司近年來新建廠房和購置生產(chan) 相關(guan) 設備資產(chan) ，投入較大，使得固定成本提高較多，若公司產(chan) 品產(chan) 量因市場需求波動出現大幅減少，或因下遊競爭(zheng) 日趨激烈而出現大幅降價(jia) ，將可能使得該產(chan) 品可變現淨值低於(yu) 成本，對公司的經營業(ye) 績產(chan) 生不利影響。

此外，公司股權相對分散，不存在控股股東(dong) 和實際控製人。