據悉，高功率高亮度半導體(ti) 激光芯片是激光產(chan) 業(ye) 鏈的基石與(yu) 源頭，激光芯片的功率、亮度、可靠性作為(wei) 核心指標，直接影響激光係統的性能、體(ti) 積與(yu) 成本，是實現激光係統小型化、輕量化、智能化的前提和保證。長光華芯致力於(yu) 更高功率、更高亮度單管芯片的研發與(yu) 生產(chan) ，日前單管芯片功率突破性的達到66W。

　　2023年1月，在photonics west 2023會(hui) 議上， 長光華芯首次報道了在亮度保持不變的條件下(芯片條寬230μm)，芯片出光功率提升20%(功率從(cong) 32W提升到40W)，最大功率超過51W.該芯片的功率亮度性能是230μm條寬下高功率激光芯片已知報道的最高水平，長光華芯為(wei) 實現高亮度條件下芯片功率的持續提升而不斷探索。

　　2023年2月，基於(yu) 在photonics west報道的芯片技術長光華芯開發了更高功率芯片寬條寬半導體(ti) 激光芯片，在業(ye) 內(nei) 首次推出最大功率超過66W的單管芯片(熱沉溫度為(wei) 室溫)，芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

　　長光華芯專(zhuan) 注於(yu) 研發和生產(chan) 半導體(ti) 激光芯片，核心技術覆蓋半導體(ti) 激光行業(ye) 最核心領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔麵處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自研的芯片設計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體(ti) 激光器等完整的工藝平台和量產(chan) 線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓製造等關(guan) 鍵製程生產(chan) 能力的IDM半導體(ti) 激光器企業(ye) ，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。