助推半導體激光芯片國產化瑞波光電攜芯片新品亮相CIOE2023

9月6-8日，深圳瑞波光電子有限公司（以下簡稱瑞波光電）將攜最新大功率半導體(ti) 激光芯片解決(jue) 方案亮相第24屆中國國際光電博覽會(hui) （CIOE2023），誠摯邀請您蒞臨(lin) 激光技術及智能製造展4號館4A062展位參觀、交流及業(ye) 務洽談。

第24屆中國國際光電博覽會(hui) 開展在即，瑞波光電如約而至，將展示最新半導體(ti) 激光芯片新品——225W 905nm脈衝(chong) 發射芯片（EEL），905nm APD，500mW 980nm單模芯片及模組等。

5節905nm芯片功率225W：商業(ye) 芯片裏全球功率最高

基於(yu) 激光雷達市場的蓬勃發展，瑞波光電為(wei) 該應用領域開發了多款低溫漂905nm EEL芯片係列，包括65W/135W/165W單管芯片，以及1*8和1*16陣列芯片，同時在展會(hui) 上發布國內(nei) 首款可商業(ye) 化的5節功率225W芯片@37A，光功率密度達到47KW/mm2，支持常規溫漂和低溫漂，所有芯片均支持TO和SF封裝；客戶通過使用瑞波迭代的新款905nm EEL芯片，可以開發出性能更優(you) 、成本更低的新一代激光雷達。

瑞波5節功率225W 905nm EEL芯片PIV曲線（RB-905E-300-225-0.75-SE-G90）

首推雪崩光電二極管器件APD

瑞波光電也將展示雪崩光電二極管器件APD，實現了在探測產(chan) 品上的零突破，本次發布的APD型號RB-APD500-905-SMD，有源區麵積500 μm，響應度為(wei) 56 A/W，擊穿電壓為(wei) 130-190V，該器件主要用於(yu) 測距領域，憑借發射和探測的齊備，可大大提升了客戶的設計彈性和便攜度。

瑞波光電APD增益-反向電壓曲線

首推大功率980nm單模芯片及模塊

目前，用於光通信和激光雷達用的大功率單模980nm激光芯片仍主要依賴進口。多年來，瑞波光電針對單模980nm激光芯片和模塊進行全方位布局研發，目前已攻克了多項核心技術，突破了芯片和模塊研製過程中IDM體係的諸多關鍵技術和工藝，實現了從芯片設計、材料外延、芯片到模塊的國產化製造。本次展會，瑞波將展示500mW級的980nm激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE，以及蝶形封裝模組RB-980-400-M。

980nm單模激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE PIV曲線

980nm蝶形封裝模組RB-980-400-M PIV曲線

測試表征設備助力行業(ye) 升級

本屆深圳光博會(hui) 上，瑞波還將展出支持50A以上的大電流老化設備，新一代全自動COS測試機，以及麵向紅綠藍激光 TO器件的全自動盤測機等新型測試設備。通過穩定的整機性能控製、物料優(you) 化和選型，為(wei) 激光廠家提供整體(ti) 智能化、高性價(jia) 比的測試解決(jue) 方案，滿足客戶對更大電流、更快速度測試的迫切需求。

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