隨著“中國製造2025”的持續推動，以及國外對中國的技術限製，中國半導體(ti) 發展麵臨(lin) 著前所未有的機遇與(yu) 挑戰。中國半導體(ti) 製造對國產(chan) 技術的發展有著更高的要求，市場需求推動技術其朝著高效率、高精度、高質量方向發展。

近日，大族激光旗下全資子公司深圳市大族半導體(ti) 裝備科技有限公司（簡稱“大族半導體(ti) ”）憑借豐(feng) 富的行業(ye) 技術開發和工藝應用經驗，研製出核心部件100%國產(chan) 化的高端晶圓激光切割設備——大族半導體(ti) DA100激光切割係統（以下簡稱“ DA100”），填補了我國在半導體(ti) 晶圓切割領域的技術空白，成功打破國外壟斷。

大族半導體(ti) DA100是基於(yu) Ablation工藝原理進行晶圓切割分離的係統，本係列設備是針對多行業(ye) 不同特點，優(you) 化開發的高兼容性激光表麵切割係統，可進行不同軌跡、多個(ge) 產(chan) 品的正背麵自由切割，達到行業(ye) 內(nei) 最高精度。與(yu) 此同時，在原有切割材料的基礎上，實現了加工矽，砷化镓，氮化镓，藍寶石，磷化銦，陶瓷，金屬等材料的技術突破，是大族半導體(ti) 在半導體(ti) 激光加工設備開發進程中的一個(ge) 重要裏程碑。

大族半導體(ti) DA100可滿足各種類型晶圓的切割需求，對晶圓進行表切（切深≤20μm，切寬可定製），半切（切深≤ 100μm，切寬≤20μm），全切（切深≤200μm，切寬≤30μm）三種分離製程，功能可按需配置提供定製化服務，進一步降低客戶的使用成本。該係統有如下突出特點：

1.從(cong) 源頭及加工過程中良好地抑製粉塵、熱影響、回熔、崩邊等對晶圓品質造成影響的不利因素，極大提升產(chan) 品的良品率；

2.進一步提升加工能力，相較於(yu) 傳(chuan) 統切割能力，可應對200μm厚度以內(nei) 的晶圓產(chan) 品（不同材質切割效果會(hui) 存在差異）；

3.可選多達5套光路係統方案，應對不同材料的分離工藝。

經反複驗證，大族半導體(ti) DA100在切割效率、精度、穩定性等方麵，在行業(ye) 內(nei) 已達國內(nei) 領先甚至國際先進水平，且關(guan) 鍵性技術已實現較大突破。其核心部件100%國產(chan) 化為(wei) 我國半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的發展提供了強大的技術支持，實現了國產(chan) 替代。

深圳市大族半導體(ti) 裝備科技有限公司主要研究應用於(yu) 矽、碳化矽、砷化镓、氮化镓、陶瓷、藍寶石、玻璃、柔性薄膜和金屬等材料的加工工藝，生產(chan) 製造和銷售從(cong) 精細微加工，到視覺檢測等一係列自動化專(zhuan) 業(ye) 裝備。公司設備廣泛應用於(yu) 集成電路製造、第三代半導體(ti) 、LED、麵板等製造領域，致力於(yu) 成為(wei) 半導體(ti) 裝備製造領域標杆企業(ye) ，為(wei) 集成電路產(chan) 業(ye) 的發展和突破不斷努力。目前公司在職員工逾千人，研發人員占50%左右，匯聚了十多位來自以色列、韓國和中國台灣地區的行業(ye) 技術專(zhuan) 家、AI圖像處理算法專(zhuan) 家，保證相關(guan) 技術在行業(ye) 中領先地位。隨著激光應用領域的擴展以及應用深度的加深，市場將對激光技術的應用提出更高要求。大族半導體(ti) 將持續以技術創新、工藝創新、產(chan) 品創新為(wei) 驅動，提升自身技術開發實力，助力中國集成電路發展，成為(wei) 集成電路裝備製造領域標杆企業(ye) 。