高功率半導體(ti) 單管芯片作為(wei) 激光器的核心元器件，其功率水平直接影響激光係統的體(ti) 積與(yu) 成本。曆經多年迭代，商用芯片功率於(yu) 2023年達到50W。更高功率至今仍是行業(ye) 追逐的焦點，代表了芯片綜合技術能力的發展水平。

近日，長光華芯超高功率單管芯片在結構設計與(yu) 研製技術上取得突破性進展，研製出的單管芯片室溫連續功率超過100W（芯片條寬 500μm），工作效率 62%，是迄今為(wei) 止已知報道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級單管芯片新紀元！

500μm 發光寬度芯片的功率效率曲線

1月30日至2月1日，長光華芯攜帶高功率技術首次亮相美國舊金山2024 SPIE Photonics West光電展。屆時，長光華芯高功率半導體(ti) 激光芯片、激光雷達與(yu) 3D傳(chuan) 感芯片、高速光通信芯片、光纖耦合模塊、陣列、直接半導體(ti) 激光器等全係列產(chan) 品也將在#2367展位展出！

長光華芯專(zhuan) 注於(yu) 研發和生產(chan) 半導體(ti) 激光芯片，核心技術覆蓋半導體(ti) 激光行業(ye) 最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔麵處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自主可控的從(cong) 芯片設計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體(ti) 激光器等完整的工藝平台和量產(chan) 線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓製造等關(guan) 鍵製程生產(chan) 能力的IDM半導體(ti) 激光器企業(ye) 之一，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。

長光華芯IDM全流程工藝平台和量產(chan) 線