近日，華光光電808nm高功率半導體(ti) 激光芯片研究取得重大技術突破。經過公司研發團隊持續地科研攻關(guan) ，華光光電成功研製出25W高功率高可靠性激光芯片，進一步鞏固了公司在半導體(ti) 激光領域的領先地位，並為(wei) 國內(nei) 半導體(ti) 激光芯片產(chan) 業(ye) 升級注入了新的活力。

808nm半導體(ti) 激光器作為(wei) 固體(ti) 激光器的主要泵浦源，在智能製造、工業(ye) 加工、醫療健康、科研與(yu) 國家戰略高技術等領域發揮著重要作用。隨著市場需求的日益增長，高功率、高效率的激光芯片成為(wei) 行業(ye) 發展的重要支撐。華光光電緊扣市場脈搏，聚焦808nm激光芯片的技術迭代，通過外延材料設計與(yu) 優(you) 化、芯片結構優(you) 化等方式，成功提升了芯片的內(nei) 量子效率，降低了腔內(nei) 光學損耗，並顯著提高了腔麵的光學災變損傷(shang) 閾值。

808nm-25W單芯片PIV及效率曲線

根據測試，采用華光光電808nm-25W高功率激光芯片封裝的COS，最大輸出功率超過43W，在CW25A下輸出功率26.5W，電光轉換效率58%。該芯片在室溫25A下可長期保持功率持續穩定輸出，充分展現了其高可靠性。

808nm-25W單芯片壽命曲線

這一突破性成果的取得，不僅(jin) 彰顯了華光光電在半導體(ti) 激光技術領域的深厚積累和創新能力，也標誌著我國在高功率半導體(ti) 激光芯片研發方麵取得了重要進展。這一技術的成功應用，將有力推動國內(nei) 半導體(ti) 激光芯片及下遊產(chan) 業(ye) 的升級換代，提升我國在全球半導體(ti) 激光市場的競爭(zheng) 力。

華光光電堅持走自主創新之路，是國內(nei) 少數掌握半導體(ti) 激光器外延結構設計與(yu) 生長、芯片設計與(yu) 製備的自主知識產(chan) 權並成功應用於(yu) 商業(ye) 化生產(chan) 的企業(ye) 之一，亦是國內(nei) 少數建立了半導體(ti) 激光器外延片、芯片、器件、模組垂直一體(ti) 化生產(chan) 體(ti) 係，自主生產(chan) 半導體(ti) 激光器外延片和芯片的企業(ye) 之一。此次808nm高功率半導體(ti) 激光芯片的突破，正是華光光電持續技術創新和研發投入的結晶。

隨著這一技術的推廣和應用，華光光電的808nm激光器將在智能製造、工業(ye) 加工、醫療健康、科研與(yu) 國家戰略高技術等領域發揮更大的作用。同時，公司也將繼續加大研發力度，不斷推出更多具有創新性和領先性的產(chan) 品，為(wei) 推動我國激光產(chan) 業(ye) 集群的發展貢獻更多力量。