近日，半導體(ti) 所發布多批政府采購意向，儀(yi) 器信息網特對其中的儀(yi) 器設備品目進行梳理，統計出57項儀(yi) 器設備采購意向，預算總額達1.6億(yi) 元，涉及半導體(ti) 薄膜沉積、刻蝕等多個(ge) 工藝製程。 中國科學院半導體(ti) 研究所（簡稱半導體(ti) 所）是集半導體(ti) 物理、材料、器件研究及其係統集成應用於(yu) 一體(ti) 的國家級半導體(ti) 科學技術的綜合性研究機構。 

 半導體(ti) 所作為(wei) 我國半導體(ti) 科學技術發展的引領者，擁有眾(zhong) 多國家級、院級實驗。兩(liang) 個(ge) 國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個(ge) 國家重點實驗室—半導體(ti) 超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表麵物理國家重點實驗室(半導體(ti) 所區)；一個(ge) 重點實驗室—光電子材料與(yu) 器件重點實驗室；兩(liang) 個(ge) 院級實驗室(中心)—中國科學院半導體(ti) 材料科學重點實驗室和中國科學院固態光電信息技術重點實驗室。

此外，還設有半導體(ti) 物理實驗室、固態光電信息技術實驗室、半導體(ti) 集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、寬禁帶半導體(ti) 研發中心、人工智能與(yu) 高速電路實驗室、納米光電子實驗室、光電係統實驗室、全固態光源實驗室和元器件檢測中心。半導體(ti) 所擁有先進的科研設備和實力強大的科研團隊，致力於(yu) 推動半導體(ti) 科學技術的創新與(yu) 發展。在量子點異質外延、高性能激光器研發等領域取得顯著成果，並培養(yang) 了大量高層次科研人才。同時，與(yu) 國內(nei) 外眾(zhong) 多科研機構、大學和企業(ye) 建立了廣泛的合作關(guan) 係，共同推動半導體(ti) 科學技術的發展。 

近日，半導體(ti) 所發布多批政府采購意向，儀(yi) 器信息網特對其進行梳理，統計出57項儀(yi) 器設備采購意向，預算總額達1.6億(yi) 元，預計采購時間為(wei) 2024年5月-12月。本次采購的儀(yi) 器設備涉及磁控濺射生長設備、傅裏葉變換光譜儀(yi) 、低溫探針台、無掩模直寫(xie) 型光刻機、感應耦合等離子體(ti) 刻蝕機、先進低頻噪聲測試分析係統、低損傷(shang) 複雜形貌刻蝕係統、原子力顯微鏡、綜合光電掃描測試係統等。涵蓋的半導體(ti) 工藝製程較為(wei) 全麵，有薄膜沉積、光刻、刻蝕、化學機械拋光、封裝和後道測試等，這些工藝步驟對於(yu) 確保半導體(ti) 芯片的性能和可靠性至關(guan) 重要。從(cong) 設備的采購需求來看，半導體(ti) 製程正朝著更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向發展。如無掩模直寫(xie) 型光刻機，相較於(yu) 有掩膜光刻機具有靈活性高、製作周期短、成本低等優(you) 點；低損傷(shang) 複雜形貌刻蝕係統需滿足特殊結構DFB、DBR光柵的製備，特別是具有高深寬比的圖形結構。本次設備的采購是不僅(jin) 是對半導體(ti) 所現有設備的重要補充，也將進一步推動半導體(ti) 行業(ye) 的發展。    

來源：儀(yi) 器信息網