8月21日，從(cong) 江蘇通用半導體(ti) 有限公司傳(chuan) 來消息，由該公司自主研發的國內(nei) 首套的8英寸碳化矽晶錠激光全自動剝離設備正式交付碳化矽襯底生產(chan) 領域頭部企業(ye) 廣州南砂晶圓半導體(ti) 技術有限公司，並投入生產(chan) 。

圖：8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備

該設備可實現6英寸和8英寸碳化矽晶錠的全自動分片，包含晶錠上料、晶錠研磨、激光切割、晶片分離和晶片收集，一舉(ju) 填補了國內(nei) 碳化矽晶錠激光剝離設備領域研發、製造的市場空白，突破了國外的技術封鎖，將極大地提升我國碳化矽芯片產(chan) 業(ye) 的自主化、產(chan) 業(ye) 化水平。

該設備年可剝離碳化矽襯底20000片，實現良率95%以上，與(yu) 傳(chuan) 統的線切割工藝相比，大幅降低了產(chan) 品損耗，而設備售價(jia) 僅(jin) 僅(jin) 是國外同類產(chan) 品的1/3。

近年來，碳化矽功率器件在大功率半導體(ti) 市場中所占的份額不斷提高，並被廣泛應用於(yu) 新能源汽車、城市軌道交通、風力發電、高速移動、物聯網等一係列領域。

但是，由於(yu) 材料的高硬度、高脆性的特點，在使用傳(chuan) 統的砂漿線、金剛石線等冷切工藝切割、剝離碳化矽晶錠時，存在效率過低、損耗過高的缺點，導致襯底產(chan) 能提升過慢，遠遠不能滿足市場的實際需求。由於(yu) 產(chan) 能嚴(yan) 重不足，碳化矽襯底的生產(chan) 成本一直居高不下，在器件成本構成中，碳化矽器件中襯底要占成本的47%，遠遠高於(yu) 矽基器件的7%。

江蘇通用半導體(ti) 有限公司董事長陶為(wei) 銀介紹， 采用基於(yu) 激光工具和加工技術切割、剝離碳化矽晶錠，可實現高效、精確和高質量的製造，極大地降低碳化矽襯底的生產(chan) 成本，減少浪費和環境影響。

碳化矽器件屬於(yu) 寬禁帶半導體(ti) ，不但在民用領域應用廣泛，在國防領域也普遍應用。因此對相關(guan) 技術，西方發達國家都實行出口管製。目前，隻有一家日本企業(ye) 生產(chan) 製造碳化矽晶錠激光剝離設備，售價(jia) 高達一億(yi) 元，且對中國實施禁售。

江蘇通用半導體(ti) 有限公司成立於(yu) 2019年，致力於(yu) 高端半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 裝備與(yu) 材料的研發和製造，於(yu) 2020年推出國內(nei) 首台半導體(ti) 激光隱形切割機；2022年成功推出國內(nei) 首台18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2024年研製成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。