距離正式落戶江陰不到半年時間，位於(yu) 霞客灣創智園的江蘇通用半導體(ti) 有限公司就迎來了技術新突破——自研設備8英寸碳化矽晶錠激光剝離設備正式交付碳化矽襯底生產(chan) 頭部企業(ye) 廣州南砂晶圓半導體(ti) 技術有限公司，並投入生產(chan) 。“與(yu) 傳(chuan) 統的線切割工藝相比，大幅降低了產(chan) 品損耗，而設備售價(jia) 僅(jin) 僅(jin) 是國外同類產(chan) 品的三分之一，屬於(yu) 國內(nei) 首套。”董事長陶為(wei) 銀介紹。

  以激光為(wei) “刀”，向內(nei) “刻”出新質生產(chan) 力。通用半導體(ti) 的發展曆程由一場又一場激光微納加工領域的技術升維戰串聯而成：2020年，企業(ye) 研發出國內(nei) 首台半導體(ti) 激光隱形切割機；2022年，成功推出國內(nei) 首台18納米及以下SDBG激光隱切設備；2023年，成功研發國內(nei) 首台8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chan) 線；2024年，研製成功SDTT激光隱切設備……

  “這個(ge) 就是射頻芯片，切割要求是在6微米以內(nei) ，相當於(yu) 人類頭發絲(si) 的二十分之一。”在展廳內(nei) ，陶為(wei) 銀亮出了利用企業(ye) 最新技術切割出的產(chan) 品，並用手機放大後細細介紹，“傳(chuan) 統砂輪切割的‘刀’是砂輪，最薄也隻能做到40微米，激光切割的‘刀’是光斑，通用可以做到0.5微米，完全可以輕鬆駕馭6微米以內(nei) 的精度要求。”目前，江蘇通用的激光隱形切割設備已獲發明專(zhuan) 利56件，實用新型專(zhuan) 利226件。

  碳化矽功率器件因其獨特的性能成為(wei) 大功率半導體(ti) 市場的“香餑餑”。然而，由於(yu) 其硬度高、脆性高，使用傳(chuan) 統線切工藝切割、剝離碳化矽晶錠時，效率過低、損耗過高，導致襯底產(chan) 能嚴(yan) 重不足，生產(chan) 成本居高不下。陶為(wei) 銀介紹，早在一年多前，企業(ye) 就把目光投向該領域，終於(yu) 在今年7月，利用自主研發的碳化矽晶錠激光剝離設備，成功剝離出厚度僅(jin) 為(wei) 130微米的超薄碳化矽晶圓片。

  向技術工藝高峰不斷攀登讓江蘇通用向“新”而行。“與(yu) 線切一片需要2個(ge) 多小時相比，我們(men) 的速度和良品率有了飛躍，極大地降低碳化矽襯底的生產(chan) 成本。”但陶為(wei) 銀並未止步於(yu) 此，而是在設備的自動化上下功夫，碳化矽晶錠激光剝離設備實現了6英寸和8英寸晶錠的全自動分片，“晶錠上料、晶錠研磨、激光切割、晶片分離和晶片收集都由機器完成，去年我們(men) 剝離一片是30分鍾，今年是20分鍾。”

  隨著一個(ge) 接一個(ge) 自研新設備陸續推向市場，通用半導體(ti) 到明年的訂單都已飽和。“總部搬到江陰後，占比近40%的研發人員也轉戰江陰。”陶為(wei) 銀介紹，創智園內(nei) 的全部產(chan) 線投入生產(chan) 並把設備推向市場後，預計每年可剝離碳化矽襯底2萬(wan) 片。就在距離園區數百米處，一片50畝(mu) 熟地已準備就緒。陶為(wei) 銀透露，通用半導體(ti) 將進一步加快產(chan) 業(ye) 化進程。（唐芸芸）