10月22日消息，國家知識產(chan) 權局信息顯示，度亙(gen) 核芯光電技術（蘇州）有限公司申請一項名為(wei) “一種激光芯片的鍍膜方法和激光芯片”的專(zhuan) 利，公開號CN 118763497 A，申請日期為(wei) 2024年9月。

專(zhuan) 利摘要顯示，本發明提供了一種激光芯片的鍍膜方法和激光芯片，鍍膜方法包括：在激光芯片的腔麵生長預覆蓋膜；去除在激光芯片的腔麵生長的預覆蓋膜，保留在P麵電極和N麵電極上形成的預覆蓋膜翻膜；對激光芯片鍍光學膜，在激光芯片的腔麵上形成光學膜。本發明提供的激光芯片上鍍有膜層，所述膜層使用如上所述的激光芯片鍍膜方法得到。本發明通過鍍預覆蓋膜的工藝，最終在P麵電極和N麵電極上，預覆蓋膜和光學膜共兩(liang) 層膜均可穩定存在，避免了現有技術中光學膜翻膜從(cong) 金屬電極表麵脫落汙染腔麵的問題，也可在後續激光芯片的封裝過程中，阻擋焊料外溢，防止焊料汙染腔麵。