總投資8億，這一激光芯片項目投產！

據“勢能資本”官微消息，芯辰半導體(ti) （蘇州）有限公司（下文簡稱“芯辰半導體(ti) ”）外延設備已於(yu) 近日投產(chan) ，覆蓋砷化镓（GaAs）及磷化銦（InP）光芯片四元化合物全材料體(ti) 係。

據介紹，芯辰半導體(ti) 目前已實現波長範圍760nm~1700nm外延片的量產(chan) ，外延均勻性為(wei) 激射中心波長外2nm之內(nei) 。其中典型波長的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產(chan) 線實現VCSEL或DFB芯片驗證。

source：芯辰半導體(ti)

此外，相關(guan) 外延片已獲客戶長期合作訂單，其中砷化镓外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時配套有相關(guan) 晶圓質量檢測設備。

公開資料顯示，芯辰半導體(ti) 專(zhuan) 注於(yu) 生產(chan) VCSEL和EEL激光器芯片。其產(chan) 品廣泛應用於(yu) 光通信、激光雷達、生物醫學和先進裝備等多個(ge) 領域。公司采用IDM模式，致力於(yu) 在太倉(cang) 打造砷化镓和磷化銦係光芯片自主製造基地。

今年9月初，芯辰半導體(ti) 旗下砷化镓、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chan) 線完成試運行。該產(chan) 線包含了從(cong) 芯片設計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發平台和產(chan) 品生產(chan) 線。同月，公司光芯片封測平台建設完成並對外開放。

10月底，總投資達8億(yi) 元的芯辰半導體(ti) 項目一期在江蘇太倉(cang) 實現了投產(chan) ，預計達產(chan) 後可實現年產(chan) 8000萬(wan) 顆光芯片、產(chan) 值10億(yi) 元。

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