在超高功率單管芯片結構設計與(yu) 研製技術上取得突破性進展，研製出的雙結單管芯片室溫連續功率超過132W（芯片條寬 500μm），工作效率 62%，是迄今為(wei) 止已知報道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級單管芯片新紀元！

該研究成果在國際SCI知名期刊《photonics》上發表。

在高功率和窄譜寬激光器方麵攻克了如光柵設計和材料生長等多個(ge) 難點，取得突破性進展，開發的780nm寬條分布反饋（DFB）激光器室溫連續輸出功率超過10W。創下了780nm波段DFB激光器的最高紀錄，同時在寬電流與(yu) 溫度範圍內(nei) 保持了良好的鎖波特性。

該研究成果在光子學領域權威期刊《IEEE Photonics Journal》上發表。

攻克低損耗多結VCSEL結構，將麵發射芯片效率從(cong) 20年前的61%一躍提高至74%，打破近20年來VCSEL效率發展停滯的局麵，改變了VCSEL在效率上無法超過邊發射激光器的固有認知！

該研究成果發表在國際光學前三的Light: Science & Applications上。

構建了多結VCSEL的模式分析模型，解決(jue) 了單模功率難以突破10mW左右水平的難題，在直流驅動下實現了20.2mW的單基橫模激光輸出，功率轉換效率達42%，發散角為(wei) 9.8° (1/e2)和5.1° (FWHM)。這是迄今為(wei) 止單顆VCSEL的最高單模功率，其功率值接近現有單模功率記錄的兩(liang) 倍。

該研究成果發表在國際光學領域頭部期刊Photonics Research。