芯維(山東(dong) )科技有限公司成功自主研發高功率深紫外(DUV)激光器，輸出功率達到1.2W，該項研究填補了技術空白，改變了此前該領域由海外供應商主導的格局，為(wei) 國內(nei) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 鏈安全及高端裝備國產(chan) 化提供了新的支撐點。

深紫外激光器是高端半導體(ti) 芯片前道檢測設備(如掩模檢測、晶圓缺陷檢測等)不可或缺的核心光源，技術門檻高，國內(nei) 市場長期被歐美日企業(ye) 壟斷，成為(wei) 製約我國芯片產(chan) 業(ye) 自主發展的“卡脖子”難題。芯維科技自主研發的高抗灰跡BBO(偏硼酸鋇)晶，在深紫外激光器應用中將使用壽命顯著延長至3000小時以上，關(guan) 鍵性能指標達到行業(ye) 領先水準，相關(guan) 成果已申請項國家發明專(zhuan) 利，其技術先進性與(yu) 創新性得到業(ye) 內(nei) 多家企業(ye) 的認可與(yu) 高度評價(jia) ，采用獨創工藝，突破了核心器件技術瓶頸。

芯維(山東(dong) )科技有限公司深紫外激光器項目團隊成員來光電、材料、機械等多個(ge) 專(zhuan) 業(ye) ，在校企協同創新模式下，團隊成員共同攻克了關(guan) 鍵難題，展現出我國在高端科技領域人才培養(yang) 與(yu) 產(chan) 學研融合的創新活力。團隊曆時兩(liang) 年潛心攻關(guan) ，突破技術瓶頸，為(wei) 我國深紫外激光產(chan) 業(ye) 發展開辟了新篇章。

芯維科技正積極規劃產(chan) 能擴張，將進一步降低對海外供應鏈的依賴，為(wei) 國產(chan) 半導體(ti) 裝備體(ti) 係增加一條相對安全、可控的核心器件通道，對打破國際壟斷、提升產(chan) 業(ye) 鏈供應鏈韌性與(yu) 安全水平、支撐國家信息產(chan) 業(ye) 高質量發展具有深遠的戰略意義(yi) 。