2026年初，激光與(yu) 光芯片行業(ye) 再度掀起“增資擴產(chan) 潮”。

近期，雲(yun) 南鍺業(ye) 、長光華芯、源傑科技、三菲半導體(ti) 等四家龍頭企業(ye) 相繼公布擴產(chan) 計劃，覆蓋磷化銦單晶片、高速光芯片等領域，目標直指技術自主與(yu) 產(chan) 能突圍。

其中，雲(yun) 南鍺業(ye) 斥資1.89億(yi) 元擴建磷化銦產(chan) 線，長光華芯以增資形式孵化新公司布局高端芯片，源傑科技投入近20億(yi) 元“雙線擴產(chan) ”，三菲半導體(ti) 則將20億(yi) 元產(chan) 業(ye) 項目落地太倉(cang) ，全方位完善光芯片產(chan) 業(ye) 鏈布局……這四大巨頭協同發力，奏響國產(chan) 光芯片突圍的“集結號”。

4月3日晚間，雲(yun) 南鍺業(ye) 發布公告，董事會(hui) 同意控股子公司雲(yun) 南鑫耀半導體(ti) 材料有限公司實施“高品質磷化銦單晶片建設項目”。該項目計劃總投資1.8856億(yi) 元，旨在快速擴充這一關(guan) 鍵半導體(ti) 材料的產(chan) 能。

根據規劃，項目將在現有廠區內(nei) 進行，通過對原有產(chan) 線適應性改造，並新增主要工藝設備及公輔設施，擴建一條全新生產(chan) 線。項目建成後，將實現年產(chan) 30萬(wan) 片（折合4英寸，含6000片6英寸）高品質磷化銦單晶片的增量，使公司總產(chan) 能達到年產(chan) 45萬(wan) 片（4英寸當量）的規模。

據悉，磷化銦作為(wei) III-V族化合物半導體(ti) 的核心材料，具備高電子遷移率、優(you) 異的抗輻射能力和高頻光電轉換效率，主要用於(yu) 製造激光器、探測器芯片，是構建數據中心高速光模塊和高功率激光器的基石。

雲(yun) 南鍺業(ye) 在公告中表示，隨著光通信市場需求井噴，高速光模塊進入規模化部署階段，下遊客戶對磷化銦單晶片的需求激增，公司現有產(chan) 能已無法滿足市場需要。

此次擴產(chan) 旨在抓住產(chan) 業(ye) 機遇，通過提升工藝技術、推動設備升級，進一步鞏固其在關(guan) 鍵材料領域的市場地位與(yu) 供應能力。

3月18日晚間，長光華芯發布公告，其全資子公司蘇州長光華芯半導體(ti) 激光創新研究院有限公司擬出資800萬(wan) 元，增資關(guan) 聯方蘇州星沅光電科技有限公司。增資完成後，研究院對星沅光電的持股比例將從(cong) 20%提升至23.07%。

資料顯示，星沅光電成立於(yu) 2025年11月14日，是一家專(zhuan) 注於(yu) 高端磷化銦激光器芯片、器件及相關(guan) 模塊研發的高新技術企業(ye) ，產(chan) 品直指AI數據中心光通信、調頻連續波激光雷達及光纖傳(chuan) 感等前沿領域。

公告顯示，自成立以來，星沅光電已基本完成核心團隊組建、產(chan) 品預研和工藝驗證。本次增資所得資金將主要用於(yu) 保障其技術產(chan) 品研發、產(chan) 線建設與(yu) 日常運營，加速高端芯片的開發進程。

長光華芯此次戰略投資，是其完善光通信及傳(chuan) 感領域產(chan) 業(ye) 布局的關(guan) 鍵一步。通過資本紐帶深化技術合作，公司旨在整合內(nei) 外部資源，快速切入高端磷化銦芯片這一高增長賽道。

2026年2月，國內(nei) 光芯片IDM龍頭企業(ye) 源傑科技連續發布重磅擴產(chan) 公告，通過“新建基地”與(yu) “加碼產(chan) 線”雙線並進，總投資額接近20億(yi) 元。

公告稱，公司計劃投資約12.51億(yi) 元，建設“光電通訊半導體(ti) 芯片和器件研發生產(chan) 基地二期項目”。該項目周期18個(ge) 月，將新建光芯片生產(chan) 線及配套廠房設施，為(wei) 長期發展儲(chu) 備產(chan) 能。

與(yu) 此同時，源傑科技決(jue) 定大幅增加對“50G光芯片產(chan) 業(ye) 化建設項目”的投入，總投資額由原計劃的4.87億(yi) 元調增至7.57億(yi) 元，新增投資主要用於(yu) 購置設備，以滿足該產(chan) 品線急劇增長的產(chan) 能需求，標誌著其50G光芯片已進入快速放量階段。

隨著全球AI算力建設浪潮推進，800G/1.6T光模塊需求激增，導致上遊高速光芯片出現供應短缺。源傑科技表示，目前數據中心市場所需的CW矽光光源產(chan) 品已逐步放量。

4月8日，上海三菲半導體(ti) 有限公司的化合物半導體(ti) 光芯片製造基地項目正式簽約，落戶江蘇太倉(cang) 市城廂鎮。該項目計劃總投資高達20億(yi) 元，其中一期投資10億(yi) 元。

根據規劃，該製造基地將主要從(cong) 事磷化銦（InP）激光器與(yu) 光電探測器芯片、砷化镓（GaAs）激光器芯片等高端產(chan) 品的研發與(yu) 製造，旨在打造覆蓋外延生長、芯片製造到光電融合的一體(ti) 化產(chan) 業(ye) 鏈。

根據規劃，一期項目預計於(yu) 2026年8月正式開工建設，2028年投產(chan) 運營。項目全麵達產(chan) 後，預計可實現年產(chan) 值超10億(yi) 元，將顯著提升太倉(cang) 當地光電子產(chan) 業(ye) 的能級與(yu) 競爭(zheng) 力。

資料顯示，三菲半導體(ti) 成立於(yu) 2002年，是國內(nei) 少數同時掌握光芯片、電芯片及算法核心技術的企業(ye) 。此次建設自有製造基地，是其擴大產(chan) 能、完善產(chan) 業(ye) 鏈布局的戰略性舉(ju) 措。

來源：fun88网页下载 編輯：William Shaw