近日，國內(nei) 半導體(ti) 激光設備領域迎來重要IPO進展 —— 成都萊普科技股份有限公司(以下簡稱 “萊普科技”)已回複首輪問詢函。據披露，公司本次IPO擬募集資金8.5億(yi) 元。對於(yu) 深耕半導體(ti) 激光設備賽道的萊普科技而言，登陸科創板將為(wei) 其進一步助力公司完善半導體(ti) 設備產(chan) 品矩陣布局，強化在高端激光工藝設備領域的國產(chan) 替代能力，為(wei) 國內(nei) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 鏈自主可控進程提供更多助力。

招股書(shu) 顯示，萊普科技以先進精密激光技術及半導體(ti) 創新工藝開發為(wei) 核心，主營業(ye) 務為(wei) 高端半導體(ti) 專(zhuan) 用設備研發、生產(chan) 與(yu) 銷售，核心產(chan) 品涵蓋激光熱處理設備與(yu) 專(zhuan) 用激光加工設備兩(liang) 大序列，已廣泛應用於(yu) 12英寸集成電路產(chan) 線及先進封裝產(chan) 線。公司通過自主創新推出多款對標國際一流水平的設備，成功打破國際廠商在國內(nei) 市場的長期壟斷，其激光誘導結晶設備(LIC)、激光誘導外延生長設備(LIEG)等原創性產(chan) 品，已適配國內(nei) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 技術特征，應用於(yu) 先進製程3D NAND Flash、DRAM存儲(chu) 芯片及28nm 以下邏輯芯片等量產(chan) 場景。

作為(wei) 半導體(ti) 激光熱處理市場的稀缺標的，萊普科技憑借其在高端激光工藝設備領域的多年深耕，已成為(wei) 國內(nei) 少數能夠同時覆蓋前道製程與(yu) 後道封裝的激光技術企業(ye) 。公司在激光誘導結晶、超淺結退火等關(guan) 鍵工藝環節實現技術突破，打破了國際廠商在先進製程熱處理領域的長期壟斷，展現出顯著的國產(chan) 替代價(jia) 值。

業(ye) 績方麵，萊普科技呈現出強勁的增長動能。2022年至2024年，公司營業(ye) 收入從(cong) 7,414萬(wan) 元增長至2.81億(yi) 元，年複合增長率高達94.68%;淨利潤實現由負轉正，2024年達到5,491萬(wan) 元，實現業(ye) 績拐點突破，顯示出明確成長確定性。

高業(ye) 績增長的背後，是萊普科技構築的堅實技術壁壘。公司圍繞"光、機、電、算"四大係統構建了完整的正向研發體(ti) 係，持續保持高強度研發投入。數據顯示，2022-2024年累計研發投入達9,797.04萬(wan) 元，占營業(ye) 收入比例17.95%。截至2025年12月31日，公司已取得發明專(zhuan) 利16項，其中應用於(yu) 主營業(ye) 務並實現產(chan) 業(ye) 化的超過7項。研發人才儲(chu) 備方麵，截至2025年9月30日研發人員占比達23.10%。通過持續的技術積累，公司在激光能量控製、光學整形、熱預算管理等關(guan) 鍵工藝參數上已達到國際先進水平，這為(wei) 其維持較高毛利率提供了有力保障，截至報告期末公司綜合毛利率達51.74%

值得關(guan) 注的是，萊普科技深度契合國家半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 自主可控戰略方向。公司不僅(jin) 是國家級“專(zhuan) 精特新”重點小巨人企業(ye) ，還獲得了國家集成電路產(chan) 業(ye) 投資基金二期戰略投資，凸顯其技術路線與(yu) 產(chan) 業(ye) 政策的高度協同。在半導體(ti) 設備自主可控的政策導向下，公司有望持續受益於(yu) 產(chan) 業(ye) 紅利。

萊普科技表示，本次IPO募集資金將用於(yu) 進一步提升研發能力和擴大產(chan) 能，鞏固在半導體(ti) 激光設備領域的技術優(you) 勢，助力破解半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 鏈"卡脖子"環節。隨著半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 向先進製程、三維集成方向演進，激光工藝設備市場需求將持續增長。萊普科技憑借其技術定位和明確的國產(chan) 替代邏輯，有望為(wei) 中國半導體(ti) 設備國產(chan) 化注入新動能。