1 引 言
光纖Bragg光柵是一種用紫外激光直接寫(xie) 入法在單模光纖上刻有沿光纖軸向折射率變化光柵的新型光纖器件。自從(cong) Hill小組發現了摻鍺光纖在488nm 氬離子紫外激光輻照下產(chan) 生光折變效應以來,對光纖材料折變機理及應用的研究做了大量的工作。由於(yu) 光纖Bragg光柵具有有效的選頻特性,與(yu) 光纖通信係統易於(yu) 連接且耦合損耗小。因此它在頻域中呈現出豐(feng) 富的傳(chuan) 輸特性。使其成為(wei) 光纖器件的研究熱點[1,2,3]。
本文通過對普通光纖光敏特性的研究,結合實時觀測手段,獲得了適當的增敏及曝光條件,采用相位掩模法在普通含鍺單模光纖上得到了紫外寫(xie) 入的光纖Bragg光柵。
2 光纖Bragg光柵設計原理
由於(yu) 光纖Bragg光柵與(yu) 光場發生耦合作用,當入射波長滿足Bragg反射條件時,將有部分正向傳(chuan) 輸的光被耦合為(wei) 反向傳(chuan) 輸模,並沿原光路返回。光纖Bragg光柵是在一個(ge) 窄的或寬的波長範圍反射,其反射率的高低由光柵的周期、長度以及光柵與(yu) 光場的作用強度(耦合係數)決(jue) 定。
已知在光纖中傳(chuan) 播的導波模發生的互作用可由耦合模理論來分析[4],一般情況下耦合模方程為(wei)
其中,Λ是光纖Bragg光柵周期,Ak、Al為(wei) 歸一化模的複振幅,βk、βl為(wei) 第k和第l模的傳(chuan) 播常數,K(m)kl 為(wei) 第k和第l模之間的耦合係數,一般有
其中Pk、Pl為(wei) 平麵波的單位極化矢量,εm為(wei) 周期性電介質微擾Δε(r,Z)在Z方向的傅立葉級數展開式的第m個(ge) 分量。由方程(1)可知模式(k,l)存在耦合的必要條件
即相位匹配條件
βk-βl-2πm/Λ=0 (4)
由式(1)可得出模k與(yu) 模l存在耦合的另一條件是k(m)kl不為(wei) 零,它依賴於(yu) 波的偏振和模分布等。
通常認為(wei) ,光纖Bragg光柵的周期結構等效於(yu) 一係列正弦函數的疊加,即
為(wei) 簡單起見,且不失一般性,取m=1,即將其看成是嚴(yan) 格的正弦函數皺紋形式,如圖1所示。
Fig.1 Schematic of fiber Bragg grating
考慮光纖Bragg光柵中光波的兩(liang) 個(ge) 模式,一個(ge) 入射模式,一個(ge) 反射模式,也就是逆向耦合的模方程,Ai(Z)、Ar(Z)分別為(wei) 入射波和反射波的歸一化振幅。設兩(liang) 個(ge) 模式的傳(chuan) 播常數分別為(wei) βi和βr ,k為(wei) 耦合係數[5]。
k=πδn/λB (6)
其中,δn為(wei) 光纖Bragg光柵折射率的調製深度,即光柵幅度(一般為(wei) 10-2~10-5量級)。λB為(wei) Bragg波長(即δβ=0時的入射波長)。neff為(wei) 纖芯有效模折射率,如圖2所示,βi>0,βr<0時
δβ=βi-βr-2πm/Λ (m=0,1,2……) (7)
此時耦合方程變為(wei) [6]
對式(8),(9)兩(liang) 邊進行微商,並代入邊界條件
Ai(0)=1,Ar(L)=0 (10)
解方程(8),(9),得到
其中,S2=k*k-(δβ/2)2,故兩(liang) 導模的歸一化功率為(wei)
光纖Bragg光柵的反射率為(wei)
若光柵結構適當,使δβ=0,即滿足相位匹配條件時,兩(liang) 導模的功率為(wei)
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Pi、Pr的曲線如圖2。可見,坐標Z從(cong) 0變到L,正向傳(chuan) 輸模的功率Pi(Z) 從(cong) 最大值到零;而反向傳(chuan) 輸模的功率Pr(Z)從(cong) 零變到最大值。說明在耦合區內(nei) ,正向傳(chuan) 輸模的功率被耦合到了反向傳(chuan) 輸模中。由式(15)、(17) 可以得到滿足相位匹配條件時的反射率。
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