碳化矽(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業(ye) 界首款符合全麵認證的可應用於(yu) 電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化矽MOSFET功率器件。科銳碳化矽ZFET? MOSFET器件和二極管適用於(yu) 高階電力電子電路，與(yu) 傳(chuan) 統矽器件相比，可實現更高的能源效率。

功率模組通常將MOSFET和二極管等一係列分立功率開關(guan) 器件封裝在一個(ge) 獨立的集成封裝內(nei) ，可應用於(yu) 三相工業(ye) 電源、通訊電源係統以及太陽能和風能係統中功率逆變器等高壓電力電子應用領域。在傳(chuan) 統MOSFET封裝技術中，長引線中的寄生電感會(hui) 限製碳化矽MOSFET的轉換性能。通過使用科銳替代型裸芯片，電路設計人員能夠充分利用碳化矽技術轉換性能的優(you) 勢，有效地降低封裝中寄生電感的影響。

科銳副總裁兼功率和射頻(RF)產(chan) 品研發部門總經理Cengiz Balkas表示：“隨著全麵符合標準的碳化矽MOSFET作為(wei) 未封裝芯片的運用，電源模組製造商能夠充分了解到碳化矽器件的性能優(you) 勢 - 實現更好的高溫操作條件，更高的開關(guan) 頻率以及更低的開關(guan) 損耗，並且能夠擺脫傳(chuan) 統分立器件塑料封裝所帶來的局限。電力電子模組中碳化矽功率器件的設計優(you) 勢在於(yu) 能夠以更少的器件實現更高的電流和電壓，從(cong) 而實現最大功率密度以及更高的可靠性。”

Balkas同時表示：“電源模組製造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結合，創造一個(ge) 專(zhuan) 為(wei) 超高功效電力電子係統而設計的‘全碳化矽’模組。這些新型模組能夠充分體(ti) 現碳化矽材料優(you) 勢，可實現零反向恢複損耗、不受溫度影響的開關(guan) 、低電磁幹擾下高頻運行，以及更高電子雪崩能力，其開關(guan) 頻率較傳(chuan) 統以矽為(wei) 材料的解決(jue) 方案可高出5倍至8倍。在更高開關(guan) 頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從(cong) 而可以縮減係統體(ti) 積、降低重量和成本。”

科銳新型MOSFET係列功率器件目前已發布兩(liang) 個(ge) 型號CPMF-1200-S080B封裝尺寸為(wei) 4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為(wei) 1200 V / 20 A，標準導通電阻為(wei) 80 mΩ;CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為(wei) 3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為(wei) 1200 V / 20 A，標準導通電阻為(wei) 160 mΩ。兩(liang) 款器件的工作結溫均為(wei) -55 °C至+135 °C。

科銳兩(liang) 款1200V MOSFET裸芯片已經發布並能夠量產(chan) 使用，客戶可通過科銳以及科銳無線射頻(RF)代理商Semi Dice了解器件的供貨情況。科銳已發布產(chan) 品說明以及包括對芯片鍵合等詳細的設計指導建議，以幫助電源模組製造商使用新器件並優(you) 化設計。同時，科銳十分願意為(wei) 客戶提供碳化矽MOSFET器件模型以幫助其進行初期模擬仿真及評估。如欲下載科銳模型，敬請訪問：www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取樣品及進一步了解科銳碳化矽功率器件的更多詳情，敬請訪問：www.cree.com/power。

在過去20多年中，科銳一直是碳化矽 MOSFET領域公認的領先者，擁有超過50項碳化矽MOSFET技術專(zhuan) 利，同時還有多項專(zhuan) 利正在申請中。