“許多的經濟規模實際上取決(jue) 於(yu) 掃瞄器能否達到一定的吞吐量閾值，而這就是我們(men) 付出許多心血之處，”Arnold表示。“如果這是一個(ge) 隻要付出大量心力就能解決(jue) 的問題，我們(men) 終將解決(jue) 這個(ge) 問題。”

　　然而，如果短期內(nei) 無法克服吞吐量的問題，芯片製造商們(men) 將別無選擇，隻能再進一步尋求擴展193 nm ArF光刻技術的替代方法。ArF光刻技術一直是過去十年來的主流途徑。

　　但這樣做的代價(jia) 不菲。製程工程師們(men) 已利用一些技術進行22nm節點的芯片製造，這些技術包括光學鄰近校正(OPC)、相位移掩膜(PSM)，以及最近的浸入式光刻技術、光源掩膜優(you) 化和雙重曝光等。使用一組掩膜花費可能就高達2百萬(wan) 美元以上，是芯片設計實現量產(chan) 時的最高成本之一。

　　英特爾公司已下注於(yu) 這項技術了。該公司希望在10nm節點的關(guan) 鍵層利用EUV技術作為(wei) 其主要的光刻技術，但另一方麵也研究如何擴展ArF光刻技術至10nm的方法，根據英特爾公司研究員Vivek Singh表示。

　　但英特爾必須很快地作出決(jue) 定，究竟要不要為(wei) 10nm製程建立兩(liang) 套設計規則──一套用於(yu) EUV，另一套則用於(yu) ArF？或是隻選用其中一種？Singh補充道，“這就跟錢有關(guan) 了。”

　　英特爾的另一位研究人員Mark Bohr最近告訴我們(men) ，英特爾公司在擴展193nm浸入式光刻至10nm節點上已經得到令人振奮的結果了，但他並未透露進一步的細節。

　　歐洲微電子研究中心(IMEC)一直是研究EUV光刻技術的旗艦中心，去年7月宣布開始采用ASML試產(chan) 工具曝光EUV晶圓。但IME也進行其它應急措施；CEO Luc Van den Hove最近表示，IMEC將采用ASML最新的193nm浸入式光刻工具來處理光學光刻開發作業(ye) ；一旦麵臨(lin) EUV無法用於(yu) 14nm節點的情況下，這將可作為(wei) 一項備用計劃。

　　但在14nm及更先進製程，采用光學浸入式光刻技術的雙重圖形方法無法提供足夠的解析度來寫(xie) 入光罩特色；有時還必須使用到三倍、四倍或什至五倍圖形。

　　但以往隻需要使用一個(ge) 光罩的關(guan) 鍵層，現在卻得使用多達五個(ge) 光罩──這將會(hui) 為(wei) 任何設計增加相當大的成本。但至於(yu) 費用貴到什程度會(hui) 成為(wei) 問題，現在也還不清楚，因為(wei) EUV本身就不便宜。一些設備市場分析師指出，生產(chan) EUV工具的花費可能高達1億(yi) 美元以上。

　　根據KLA的Haas表示，EUV技術的開發困境可能是'噩夢'一場，挑戰著業(ye) 界供應鏈的根本經濟學。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達到每小時超過30片晶圓，記憶體(ti) 芯片製造商仍可能以該技術實現量產(chan) ，但一般代工廠、邏輯芯片供應商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應商以較銷售預期更少的產(chan) 量來攤銷EUV光罩偵(zhen) 測工具及其它設備的開發成本，最終導致成本更高，而使潛在買(mai) 主因天價(jia) 而怯步或撤銷購買(mai) 計劃。

　　Haas認為(wei) ，ASML公司最終將解決(jue) 光源問題，並讓EUV工具達到可進行商用生產(chan) 的吞吐量。

　　“我很樂(le) 觀，而且我們(men) 也應該要樂(le) 觀麵對。因為(wei) 我們(men) 都靠這項技術了。EUV光刻技術在經濟上勢在必行。”

　　到了2015年時，我們(men) 就會(hui) 知道是采取這種或哪一種方式了。

　　但以往隻需要使用一個(ge) 光罩的關(guan) 鍵層，現在卻得使用多達五個(ge) 光罩──這將會(hui) 為(wei) 任何設計增加相當大的成本。但至於(yu) 費用貴到什程度會(hui) 成為(wei) 問題，現在也還不清楚，因為(wei) EUV本身就不便宜。一些設備市場分析師指出，生產(chan) EUV工具的花費可能高達1億(yi) 美元以上。

　　根據KLA的Haas表示，EUV技術的開發困境可能是'噩夢'一場，挑戰著業(ye) 界供應鏈的根本經濟學。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達到每小時超過30片晶圓，記憶體(ti) 芯片製造商仍可能以該技術實現量產(chan) ，但一般代工廠、邏輯芯片供應商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應商以較銷售預期更少的產(chan) 量來攤銷EUV光罩偵(zhen) 測工具及其它設備的開發成本，最終導致成本更高，而使潛在買(mai) 主因天價(jia) 而怯步或撤銷購買(mai) 計劃。

　　Haas認為(wei) ，ASML公司最終將解決(jue) 光源問題，並讓EUV工具達到可進行商用生產(chan) 的吞吐量。

　　“我很樂(le) 觀，而且我們(men) 也應該要樂(le) 觀麵對。因為(wei) 我們(men) 都靠這項技術了。EUV光刻技術在經濟上勢在必行。”

　　到了2015年時，我們(men) 就會(hui) 知道是采取這種或哪一種方式了。

　　但以往隻需要使用一個(ge) 光罩的關(guan) 鍵層，現在卻得使用多達五個(ge) 光罩──這將會(hui) 為(wei) 任何設計增加相當大的成本。但至於(yu) 費用貴到什程度會(hui) 成為(wei) 問題，現在也還不清楚，因為(wei) EUV本身就不便宜。一些設備市場分析師指出，生產(chan) EUV工具的花費可能高達1億(yi) 美元以上。

　　根據KLA的Haas表示，EUV技術的開發困境可能是'噩夢'一場，挑戰著業(ye) 界供應鏈的根本經濟學。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達到每小時超過30片晶圓，記憶體(ti) 芯片製造商仍可能以該技術實現量產(chan) ，但一般代工廠、邏輯芯片供應商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應商以較銷售預期更少的產(chan) 量來攤銷EUV光罩偵(zhen) 測工具及其它設備的開發成本，最終導致成本更高，而使潛在買(mai) 主因天價(jia) 而怯步或撤銷購買(mai) 計劃。

　　Haas認為(wei) ，ASML公司最終將解決(jue) 光源問題，並讓EUV工具達到可進行商用生產(chan) 的吞吐量。

　　“我很樂(le) 觀，而且我們(men) 也應該要樂(le) 觀麵對。因為(wei) 我們(men) 都靠這項技術了。EUV光刻技術在經濟上勢在必行。”

　　到了2015年時，我們(men) 就會(hui) 知道是采取這種或哪一種方式了。