半導體(ti) 激光器又稱為(wei) 激光二極管（LD，Laser Diode），是采用半導體(ti) 材料作為(wei) 工作物質而產(chan) 生受激發射的一類激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三種形式。半導體(ti) 激光器件，一般可分為(wei) 同質結、單異質結、雙異質結。同質結激光器和單異質結激光器室溫時多為(wei) 脈衝(chong) 器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。半導體(ti) 激光器的優(you) 點在於(yu) 體(ti) 積小、重量輕、運轉可靠、能耗低、效率高、壽命長、高速調製，因此半導體(ti) 激光器在激光通信、光存儲(chu) 、光陀螺、激光打印、激光醫療、激光測距、激光雷達、自動控製、檢測儀(yi) 器等領域得到了廣泛的應用。

　　半導體(ti) 激光器工作原理是：通過一定的激勵方式，在半導體(ti) 物質的能帶（導帶與(yu) 價(jia) 帶）之間，或者半導體(ti) 物質的能帶與(yu) 雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處於(yu) 粒子數反轉狀態的大量電子與(yu) 空穴複合時便產(chan) 生受激發射作用。半導體(ti) 激光器的激勵方式主要有三種：電注入式、電子束激勵式和光泵浦激勵式。電注入式半導體(ti) 激光器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料製成的半導體(ti) 麵結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平麵區域產(chan) 生受激發射。電子束激勵式半導體(ti) 激光器一般用N型或者P型半導體(ti) 單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為(wei) 工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。光泵浦激勵式半導體(ti) 激光器一般用N型或P型半導體(ti) 單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為(wei) 工作物質，以其它激光器發出的激光作光泵激勵。

　　目前在半導體(ti) 激光器件中，性能較好、應用較廣的是：具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管半導體(ti) 激光器。

　　半導體(ti) 光電器件的工作波長與(yu) 半導體(ti) 材料的種類有關(guan) 。半導體(ti) 材料中存在著導帶和價(jia) 帶，導帶上麵可以讓電子自由運動，而價(jia) 帶下麵可以讓空穴自由運動，導帶和價(jia) 帶之間隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從(cong) 價(jia) 帶跳躍到導帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從(cong) 導帶跳回價(jia) 帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決(jue) 定了光電器件的工作波長。

　　小功率半導體(ti) 激光器（信息型激光器），主要用於(yu) 信息技術領域，例如用於(yu) 光纖通信及光交換係統的分布反饋和動態單模激光器（DFB-LD）、窄線寬可調諧激光器、用於(yu) 光盤等信息處理領域的可見光波長激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。這些器件的特征是：單頻窄線寬、高速率、可調諧、短波長、光電單片集成化等。