來自中國光學期刊網消息：Cymer公司推出了專(zhuan) 為(wei) ASML光刻掃描儀(yi) 配置的40W極紫外（EUV）光源，工作周期高達每小時刻蝕30張矽晶片，工作功率提高到55W時，性能更為(wei) 優(you) 異。
 
      2月底，這家總部位於(yu) 聖地亞(ya) 哥市的公司在SPIE先進光刻技術展覽會(hui) （美國加利福尼亞(ya) 州聖何塞市）上展示了其最新研究成果。展覽會(hui) 上，Cymer公司詳細介紹了這套EUV光源的研發工作。例如，模擬結果表明，多個(ge) 晶圓批次的芯片成品率超過了99.7%；該光源可以±0.2%的輸出劑量穩定性連續工作超過6個(ge) 小時，滿足商業(ye) 掃描儀(yi) 的要求。公司還宣稱，該光源的功率可在一個(ge) 小時內(nei) 逐步提高到55W，模擬的芯片成品率為(wei) 97.5%。公司計劃穩步提高EUV光源的功率，使其達到60W，並保持當前的工作周期和輸出劑量穩定性。目前，Cymer公司正在與(yu) ASML公司洽談收購事宜。
 
      今年，ASML公司將幫助芯片製造商升級現有光源，使其到2014年中期具備每小時刻蝕70張晶圓的能力。要到達這一目標，輸出功率必須達到105W，而ASML掃描儀(yi) 在升級之前，最初預計可提供80W的光源。
 
      現在，三台正在接受測試的EUV光源都配有主振蕩器功率放大器（MOPA）升級和 “預脈衝(chong) ”係統，可在超高功率CO2激光器轟擊光源內(nei) 的錫液滴靶丸之前將其尺寸擴大。
 
      擴大後的靶丸物理上可與(yu) 激光更好地進行匹配，當錫被轟擊時，光源腔就能產(chan) 生EUV輻射；接著，反射光學係統直接將光射向需要刻蝕的矽晶圓。眾(zhong) 所周知，使用預脈衝(chong) 可提高整體(ti) 的EUV光產(chan) 生效率，經濟效益更高。
 
      就EUV光刻的經濟效益而言，如何保護光學薄膜免受光源等離子體(ti) 腔中產(chan) 生的碎片影響，是另一個(ge) 關(guan) 鍵要求。Cymer公司宣稱，他們(men) 已經證實，所開發的60W光源發射出40億(yi) 個(ge) EUV脈衝(chong) 後，沒有出現任何早期損害機製的跡象。
 
      距離Cymer公司競爭(zheng) 對手Gigaphoton公司開發出一種類似“預脈衝(chong) ”的方式，已經有一段時間。上個(ge) 月，Gigaphoton宣稱，其開發的光源已經能夠實現20W的峰值功率輸出。現在，雖然Cymer公司被公認處於(yu) EUV光源發展的前沿，但是ASML公司預計在未來的幾年裏EUV光刻工具的出貨量是適度的（剛剛超過10台），2015年之後其出貨量將大幅上升。
 
      針對EUV，Cymer公司的目標是趕超ArF準分子激光器的功率增長速度。在半導體(ti) 行業(ye) 當前這一代光刻掃描儀(yi) 的光源中，ArF準分子激光器占據主導地位。Cymer公司生產(chan) 的準分子激光器從(cong) 1W的光源開始做起，目前其最新一代產(chan) 品的功率可達120W——Gigaphoton公司所達到的功率水平。