前 言
　　本標準按照GB/T 1.1-2009、GB/T 20001.1-2001給出的規則起草。
　　請注意本文件的某些內(nei) 容可能涉及專(zhuan) 利。本文件的發布機構不承擔識別這些專(zhuan) 利的責任。
　　本標準由中國機械工業(ye) 聯合會(hui) 提出。
　　本標準由全國光輻射安全和激光設備標準化技術委員會(hui) 歸口。
　　本標準起草單位：西安炬光科技有限公司、中國科學院西安光學精密機械研究所、北京國科激光技術有限公司、武漢華工正源光子技術有限公司、中國科學院北京半導體(ti) 所、中國電子科技集團公司第四十四研究所、中國電子科技集團公司第十三研究所。
　　本標準主要起草人：
　　本標準為(wei) 首次發布。

　　半導體(ti) 激光器總規範
　　1　範圍
　　本標準規定了半導體(ti) 激光器（以下簡稱激光器或產(chan) 品）的通用要求，包括術語、定義(yi) 和符號、分類、技術要求、測試方法、檢驗規則、標誌、包裝、運輸和儲(chu) 存。
　　本標準適用於(yu) 半導體(ti) 激光器（包括非通信類半導體(ti) 激光器和通信類半導體(ti) 激光器）的研製、生產(chan) 和交付等。

　　2　規範性引用文件
　　下列文件對於(yu) 本標準的應用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，僅(jin) 注日期的版本適用於(yu) 本標準，凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用於(yu) 本標準。
　　GB/T 191       包裝儲(chu) 運圖示標誌
　　GB/T 2423.1    電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分： 試驗Ab：低溫
　　GB/T 2423.2    電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分： 試驗Bb：高溫
　　GB/T 2423.3    電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分： 試驗Cab：恒定濕熱試驗方法
　　GB/T 2423.5    電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Ea和導則：衝(chong) 擊
　　GB/T 2423.10   電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Fc和導則：振動（正弦）
　　GB/T 2423.22   電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化
　　GB 7247.1      激光產(chan) 品的安全  第1部分：設備分類、要求和用戶指南
　　GB/T 14733.12  電信術語  光纖通信#p#分頁標題#e#
　　GB/T 15313     激光術語
　　GB/T 17626.2   電磁兼容  試驗和測量技術  靜電放電抗擾度試驗
　　GB/T 17626.3   電磁兼容  試驗和測量技術  射頻電磁場輻射抗擾度試驗
　　GB/T 17626.4   電磁兼容  試驗和測量技術  電快速瞬變脈衝(chong) 群抗擾度試驗
GB 18217       激光安全標誌
　　GB/T 21194     通信設備用的光電子設備器件的可靠性通用要求
　　GB/T 21548     光通信用直接調製半導體(ti) 激光器的測試方法
　　GB/T XXXX      半導體(ti) 激光器測試方法

　　3　術語、定義(yi) 和符號
　　3.1　術語和定義(yi)
　　半導體(ti) 激光器常用術語采用下列定義(yi) 。GB/T 15313 確立的其它術語和定義(yi) 也適用於(yu) 本規範。
　　3.1.1 半導體(ti) 激光器 Semiconductor laser
　　用半導體(ti) 材料作為(wei) 光增益介質的激光器，其核心是一個(ge) 本身具有光反饋結構的p-n結二極管芯片，本標準涉及的激光器是指電注入式半導體(ti) 激光器。
　　3.1.2 激光器芯片 Laser chip
　　由半導體(ti) 材料構成，從(cong) 晶圓（Wafer）解理下來的包含一個(ge) 或者多個(ge) 發光單元的受激發射體(ti) 。
　　3.1.3 量子阱結構Quantum well structure
　　窄帶隙超薄層的半導體(ti) 材料被夾在兩(liang) 個(ge) 寬帶隙勢壘的之間，而且窄帶隙超薄層的厚度薄到可以與(yu) 電子的平均自由程（即德布洛意波長）相比擬時，就稱作量子阱結構。如果隻有一個(ge) 勢阱，兩(liang) 邊是勢壘，這種結構稱作單量子阱；如果窄帶隙超薄層材料和勢壘層交替生長就構成多量子阱結構。
　　3.1.4 腔長 Cavity length
　　激光芯片高反射（High Reflection）和抗反射（Anti－Reflection）鏡麵之間的距離。
　　3.1.5 帶尾纖半導體(ti) 激光器 Semiconductor laser with pigtail
　　通過光纖輸出激光的半導體(ti) 激光器。和此對應，把非光纖輸出的半導體(ti) 激光器稱為(wei) 開放式半導體(ti) 激光器。
　　3.1.6 邊發射半導體(ti) 激光器 Edge emitting semiconductor laser
　　激光傳(chuan) 播方向垂直於(yu) p-n結方向激光器，一般出光方向平行於(yu) 芯片表麵
3.1.7 垂直腔麵發射半導體(ti) 激光器VCSEL Vertical cavity surface emitting laser
　　激光傳(chuan) 播方向平行於(yu) p-n結方向的半導體(ti) 激光器，一般出光方向垂直於(yu) 芯片表麵，該類激光器通常以介質膜反射器或者分布式布拉格反射器（DBR）構成諧振腔
3.1.8 脈衝(chong) 半導體(ti) 激光器 Pulsed semiconductor laser
　　一種以短時間間隔工作模式的半導體(ti) 激光器，本標準通常指脈衝(chong) 持續時間小於(yu) 1微秒。
　　3.1.9 準連續半導體(ti) 激光器 Quasi-continuous wave (QCW) semiconductor laser
　　為(wei) 實現較高的峰值功率，而又要達到穩定狀態性能的間隔開啟和關(guan) 斷輸出特性的半導體(ti) 激光器，一般用占空比來標稱，即脈衝(chong) 寬度和重複頻率的乘積。
　　3.1.10 連續半導體(ti) 激光器 Continuous wave (CW) semiconductor laser
　　在規定電流下和一定時間周期內(nei) 持續不間斷工作的半導體(ti) 激光器。本標準通常指脈衝(chong) 持續時間大於(yu) 250毫秒。
　　3.1.11 單管半導體(ti) 激光器 Single emitter semiconductor laser
　　僅(jin) 有一個(ge) 發光單元的半導體(ti) 激光器。
　　3.1.12 激光器陣列 Laser array
　　由多個(ge) 激光發光單元排成的陣列，稱為(wei) 激光器陣列。
　　對於(yu) 邊發射半導體(ti) 激光器，又稱為(wei) 激光巴條，如圖3所示，一般標準長度為(wei) 一厘米。為(wei) 了降低激光器慢軸方向的光束參數乘積（BPP），使慢軸與(yu) 快軸接近更容易整形實現高亮度，發光單元個(ge) 數較少（一般為(wei) 7個(ge) 或者5個(ge) 發光單元組成）的激光芯片稱為(wei) 微型巴條（Mini-Bar）。 由一個(ge) 激光巴條封裝而成的半導體(ti) 激光器，稱為(wei) 單巴半導體(ti) 激光器。
　　對於(yu) 垂直腔麵發射激光器，由多個(ge) 發光單元組成的一維或二維陣列，稱為(wei) 垂直腔麵發射陣列
　3.1.13 巴條間距 Bar pitch
　　適用於(yu) 邊發射半導體(ti) 激光器，對於(yu) 多巴條垂直疊陣半導體(ti) 激光器，相鄰兩(liang) 個(ge) 巴條發光區中心線之間的間距。
　　3.1.14 垂直腔發光點間距 Vertical cavity emitter pitch
　　適用於(yu) 垂直腔麵發射半導體(ti) 激光器，相鄰兩(liang) 個(ge) 發光單元中心之間的距離。
　3.1.15 填充因子 Fill factor
　　激光芯片量子阱層內(nei) 光增益區麵積與(yu) 該增益區所在層的總麵積之比。
　　3.1.16 遠場發散角 Far field pergence angle
　　距輸出光腔麵一定距離（遠遠大於(yu) 瑞利長度）的發射光束在空間上對發光位置的張角。對於(yu) 邊發射半導體(ti) 激光器，平行於(yu) p-n結方向的稱為(wei) 快軸發散角θ∥，垂直於(yu) p-n結方向的稱為(wei) 慢軸發散角θ⊥
 　　3.1.17 發射光譜 Emission spectrum
　　發射光譜是指半導體(ti) 激光器輸出光的各個(ge) 縱/橫模輻射強度在波長軸上的分布關(guan) 係
3.1.18 額定功率Nominal power
　　半導體(ti) 激光器在 長期穩定工作的前提下，標稱的激光器輸出光功率。
　　3.1.19 額定電流 Nominal operating current
　　半導體(ti) 激光器在額定輸出功率下的工作電流。
　　3.1.20 額定電壓 Operating voltage
　　半導體(ti) 激光器在額定輸出功率下的工作電壓。
　　3.1.21 正向電壓 Forward voltage
　　半導體(ti) 激光器規定工作電流時的正向偏置電壓。
3.1.22 電光轉換效率 Electrical-to-optical conversion efficiency
　　加在半導體(ti) 激光器上的電功率轉換為(wei) 輸出激光功率的效率，通常以百分數表示。
　　3.1.23 閾值電流 Threshold current
　　閾值電流是半導體(ti) 激光器增益與(yu) 損耗的平衡點，閾值電流以後半導體(ti) 激光器才出現淨增益，開始出射激光。
　　3.1.24 外微分量子效率 External differential quantum efficiency
　　在閾值電流以上，單位時間內(nei) 輸出的光子變化量與(yu) 引起此變化的注入的電子數變化量的比值。
　　3.1.25 串聯電阻 Series resistance
　　從(cong) 半導體(ti) 激光器正極到負極之間的電阻，通常主要包括半導體(ti) 材料的體(ti) 電阻和歐姆接觸電阻等，通常計算是在閾值電流以上，在激光器的電壓（V）-電流（I）特性曲線上，電壓的變化△V與(yu) 產(chan) 生電壓變化對應的輸入電流變化△I的比值。
　　3.1.26 峰值功率 Peak power
　　功率時間函數的最大值。即在脈衝(chong) 持續時間Δt內(nei) 最大的光功率為(wei) Ppeak。
3.1.27 占空比 Duty cycle
　　激光器在準連續或者脈衝(chong) 工作模式時，一個(ge) 工作時間周期內(nei) 脈衝(chong) 寬度占工作時間周期的百分比，即Δt/T，對於(yu) 準連續半導體(ti) 激光器，本標準中占空比用脈衝(chong) 寬度和重複頻率的乘積表示。
　　3.1.28 峰值波長 Peak wavelength
　　激光輻射光譜中發光強度或輻射功率最大處所對應的波長。
　　3.1.29 中心波長 Centroid wavelength
　3.1.30 光譜半高全寬 （FWHM）Full width at half maximum
　　激光光譜中峰值波長強度一半處所對應的波長間隔，△λFWHM=λ2-λ1。
3.1.31 90%能量光譜寬度 Full width at 90% energy