工信部近日印發了《產(chan) 業(ye) 關(guan) 鍵共性技術發展指南（2013年）》，明確將“高速光通信關(guan) 鍵器件和芯片技術”、“寬帶光通信技術”列入優(you) 先發展的範疇，將利好光通信廠商。

　　業(ye) 界多位光通信專(zhuan) 家均表示，核心光器件和芯片技術研發是我國在光通信急需提升的一大領域。國際經驗表明，高端光器件產(chan) 品將是未來光器件行業(ye) 的發展方向。

　　目前，高端的關(guan) 鍵芯片技術掌握在國外公司手中，國內(nei) 的高端器件生產(chan) 受到嚴(yan) 重製約。芯片國產(chan) 化、高端化不僅(jin) 能提升光通信廠商的競爭(zheng) 力，還能提高其利潤率。工信部此舉(ju) 將利好光迅科技為(wei) 代表的光通信廠商。

　　不久前，由光迅科技牽頭的《通信光電子器件的關(guan) 鍵工藝與(yu) 支撐技術研究》項目已順利完成，該項目解決(jue) 了製約我國光通信產(chan) 業(ye) 發展的瓶頸――“空芯化”問題。據悉，公司10Gb/sADP芯片於(yu) 2013年Q3進入大批量生產(chan) 階段。

　　“芯片受製於(yu) 人是公司進入高端市場的重大瓶頸，主要競爭(zheng) 對手壟斷了高端芯片，公司受製於(yu) 芯片供應，特別是高端的40G、100G產(chan) 品難以量產(chan) 。”一位匿名分析師如此表示。

　　資料顯示，“高速光通信關(guan) 鍵器件和芯片技術”主要技術內(nei) 容包含：窄線寬可調光源、調製及驅動器件、集成相幹接收機、高速率模數轉換芯片、高速信號處理算法處理芯片和增強型FEC芯片、成幀及複接芯片、40Gb/s和100Gb/s客戶側(ce) 模塊等。

　　“寬帶光通信技術”主要技術內(nei) 容包含：高速光傳(chuan) 輸技術；光電交換技術和光網絡控製平麵技術；以無源光網絡（PON）為(wei) 代表的寬帶光接入技術。