瑞士科學家已經成功研製出了首個僅以碳族元素(第四族)所組成的“鍺錫半導體激光器”，這意味著它可以與該族的其它元素相兼容，比如矽和鉛。說得再通俗一點，這項研究成果等於是打開了在芯片內使用激光進行通信的大門（不僅比銅布線速度更快、而且也更加節能）。盡管此前有展示過使用了鍺激光技術的芯片，但尤裏希研究中心的這套方案卻更容易實現——因為它可以直接嵌入芯片。
來自尤裏希旗下“皮特格林貝格研究所”(PGI-9)和“保羅謝勒研究所”(Paul Scherrer Institute)的科學家們已經用鍺和錫製成了實驗用的附件，並且在矽晶片上進行了測試。
保羅謝勒研究所在測定之後發現，鍺錫化合物可以同時產生和放大激光信號，而且錫元素對這種新設備的光學性能顯得非常重要。
PGI-9博士生Stephen Wirths補充道：“高含錫量決定了它的光學性能，這是我們首次在晶格中摻入了超過10%的錫而沒有損失其光學品質”。
目前電子係統中所使用的半導體激光器，主要由元素周期表中的第三族或第五族元素所組成，比如砷化镓。
也正因為如此，由這些材料製成的激光器無法與其它矽基半導體裝置直接兼容(不僅困難，而且費力)。此外，由於其連接材料擁有不同的係數，裝置的使用壽命也會有所降低。
PGI-9博士Dan Buca表示：“這款激光裝置可以在有史以來的最低溫下工作(零下183攝氏度/零下297.4華氏度)”。相信這款測試係統在優化之後，還會帶來更加優異的性能表現。
此外，同步電路的時鍾信號可使用高達30%的能量，這樣可以在光傳輸過程中節省大量能量。有關這項研究的全文，可以移步至《自然光子學》(Nature Photonics)雜誌上觀看。
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