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核心器件

EPC eGaN®技術在性能及成本上實現質的飛躍

來源:fun88网页下载2017-03-24 我要評論(0 )   

EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓場效應晶體(ti) 管(eGaN FET),對比前一代的產(chan) 品,這些晶體(ti) 管的尺寸減半,而且性能顯著提升

 EPC公司宣布推出EPC2045EPC2047氮化镓場效應晶體管(eGaN® FET),對比前一代的產品,這些晶體管的尺寸,而且性能顯著提升

全球增強型氮化镓晶體(ti) 管領袖廠商、致力於(yu) 開發創新的矽基功率場效應晶體(ti) 管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7  mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶體(ti) 管,在提升產(chan) 品性能之同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於(yu) 開放式伺服器架以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點(POL轉換器、USB-C及激光雷達(LiDAR)等應用。200 V 的EPC2047的應用例子包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器

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100 V、7 mΩ的EPC2045在性能/成本上繼續擴大與(yu) 等效矽基功率MOSFET的績效差距。與(yu) 前一代EPC2001C eGaN FET相比, EPC2045的芯片尺寸減半。而200 V、10 mΩ的EPC2047eGaN FET的尺寸也是減半,如果與(yu) 等效矽基MOSFET相比,它的尺寸減小達15倍。
 

設計師現在可以同時實現更小型化和性能更高的器件! eGaN產(chan) 品采用芯片級封裝,比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效地散熱,這是由於(yu) 使用芯片級封裝的器件可以直接把熱量傳(chuan) 遞至環境,而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nei) 。
 

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱:「我們(men) 非常高興(xing) 利用創新的氮化镓技術,開發出這些正在改變半導體(ti) 行業(ye) 發展的氮化镓場效應晶體(ti) 管(eGaN FET)。」Alex繼續說道:「麵向目前采用MOSFET技術的各種應用,這些全新eGaN產(chan) 品展示出EPC及其氮化镓晶體(ti) 管技術如何提升產(chan) 品的性能之同時能夠降價(jia) 。此外,我們(men) 將繼續發展氮化镓技術以推動全新矽基器件所不能夠支持的最終用戶應用的出現。這些全新晶體(ti) 管也印證了氮化镓與(yu) MOSFET技術在性能及成本方麵的績效差距正在逐漸擴大。」 
 

此外,我們(men) 也為(wei) 工程師提供3塊開發板以幫助工程師易於(yu) 對EPC2045及EPC2047的性能進行評估,包括內(nei) 含100 V的EPC2045晶體(ti) 管的開發板(EPC9078及EPC9080)和內(nei) 含200 V的EPC2047的開發板(EPC9081)。
 

eGaN產(chan) 品的發展進入“良性循環”(virtuous cycle)的軌度

氮化镓工藝所具備的優(you) 勢是氮化镓器件比等效矽基器件具備低很多的電容,因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下,實現更低的柵極驅動損耗及更低的開關(guan) 損耗。與(yu) 最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48 V–5 V電源轉換、500 kHz開關(guan) 頻率時,功耗降低30%及效率提升2.5%。

與(yu) 矽基MOSFET相反的是,eGaN FET雖然小型很多,但它的開關(guan) 性能更高,代表eGaN產(chan) 品的前景是該技術進入“良性循環”的軌度,預期氮化镓器件將會(hui) 繼續小型化而其性能可以更高。

我們(men) 看到這些全新產(chan) 品在性能、尺寸及成本上的改進是由於(yu) 利用了創新的方法,當擊穿時在漏極區域減弱電場並且同時大大減少陷阱,使之所俘獲的電子減少。
 

價(jia) 格及供貨

EPC2045(100 V、7mΩ)晶體(ti) 管在批量為(wei) 1,000片時的單價(jia) 為(wei) 2.66美元。EPC2047(200 V、10 mΩ)批量為(wei) 1,000片時的單價(jia) 為(wei) 4.63美元。每塊開發板的單價(jia) 為(wei) 118.25美元。各晶體(ti) 管及開發板都可以立即從(cong) Digikey公司購買(mai) ,網址為(wei) https://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
 

宜普電轉換公司

宜普電源轉換公司是基於(yu) 增強型氮化镓的功率管理器件的領先供應商,為(wei) 首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化镓(eGaN)場效應晶體(ti) 管,其目標應用包括 直流-直流轉換線電傳(chuan) 跟蹤、射頻傳(chuan) 送、功率逆激光雷達LiDARD放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於(yu) eGaN IC的產(chan) 品係列,為(wei) 客戶提供進一步節省占板麵積、節能及節省成本的解決(jue) 方案。詳情請訪問我們(men) 的網站,網址為(wei) www.epc-co.com.cn

 

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊(ce) 商標。

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