激光技術和激光產(chan) 業(ye) 在國內(nei) 已經得到充分重視,
 
近日，中國科學院半導體(ti) 研究所納米光電子實驗室與(yu) 超晶格國家重點實驗室分子束外延（MBE）課題組合作，采用分子束外延技術生長的InGaSb/ AlGaAsSb應變量子阱激光器，實現了高工作溫度（T=80℃）連續激射，激射波長2μm出光功率63.7mW，達到國內(nei) 領先水平。
 
　　中紅外2-3.5μm波段激光器在氣體(ti) 檢測、環境監測、激光製導、紅外對抗、激光雷達等諸多領域有著十分廣泛而重要的應用，與(yu) 其它中紅外波段傳(chuan) 統半導體(ti) 材料體(ti) 係相比，窄帶隙的InGaAsSb銻化物材料與(yu) 襯底晶格匹配其禁帶寬度可以覆蓋1.7到4.4μm波段。銻化物光電器件的獨特優(you) 勢日益受到廣泛重視成為(wei) 目前國際前沿和熱點研究方向。
 
　　充分意識到這一研究方向重要的科學價(jia) 值和巨大的應用前景，中國科學院半導體(ti) 研究所納米光電子實驗室和超晶格國家重點實驗室分子束外延（MBE）課題組合作開展了銻化物激光器研究。首先深入係統地研究了InGaAsSb、AlGaAsSb等異質結和量子阱材料的分子束外延生長，通過優(you) 化生長溫度、V/III族元素束流比等參數，掌握了As/Sb界麵控製、應變控製、摻雜等核心技術，在獲得了1.7-2.3μm的室溫發光量子阱材料基礎上，進一步研究了激光器台麵腐蝕（刻蝕）、電極製備等工藝，獲得了側(ce) 壁陡峭的脊型台麵、n-GaSb歐姆接觸電阻率1×10-4Ωcm2的激光器結構。
 
　　結合激光器外延生長和銻化物工藝，研製出InGaSb/AlGaAsSb應變量子阱激光器。激光器采用FP腔窄條8*800μm結構，工作電流450mA時激射波長1.995μm，激射譜半高寬0.35nm。室溫連續工作下出光功率達到82.2mW。進一步提高工作溫度至80℃時激光器仍可以連續工作，出光功率達到63.7mW（如圖2所示），是目前已有報道的最好結果