雙麵劃片功能

　　355nm的DPSS激光器可以從(cong) LED的藍寶石麵進行背切劃片。可以使用多個(ge) 檢測相機從(cong) 正麵或背麵進行晶圓對準操作，當藍寶石有金屬反射層時這一點很重要。此外，外延層沒有直接接受激光輻射，可以降低光損。355nm波長的激光相對於(yu) 266nm激光被藍寶石吸收的效率要低（圖6）。因此，通常需要更高的功率，從(cong) 而導致更大的切口寬度和劃道寬度。此外，背切劃片隻適用於(yu) 厚度<150微米的藍寶石晶圓，而正切劃片還可以適用於(yu) 厚度更大的晶圓，劃片後可對晶圓研磨使其厚度變薄到裂片所需的最終厚度。 

圖7. 355nm二極管泵浦固體(ti) 激光器對氮化镓晶圓的藍寶石麵進行背切劃片的截麵圖。

　　JPSA通過持續研發背切劃片的激光吸收增強等新技術，實現了劃片速度高達150mm/s的高產(chan) 量背切劃片，無碎片並且不損壞外延層（圖7）。

III-V族半導體(ti) 晶圓劃片

　　使用紫外DPSS激光器還可以將砷化镓（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化镓（GaP）晶圓的易碎化合物半導體(ti) 材料進行分離，可以進行快速精確、整齊清潔的劃片，切口寬度約3微米，對III-V材料無崩邊（圖8）。通常情況下，250微米厚的晶圓劃片速度在300mm/s，並且適合裂片（圖9）。III - V族晶片價(jia) 格較貴，所以晶圓基板不能浪費。紫外激光劃片越緊湊、越清潔、切口越窄，每片晶圓的芯片數就越多，與(yu) 傳(chuan) 統鋸片切割法相比損壞的芯片數更少，成品率就越高。

圖8. 砷化镓晶片劃片後的邊緣清潔並且清晰。

 圖9. 磷化镓晶圓劃片速度300 mm/s，劃片深度30 μm，深度足夠使250 μm厚的晶圓裂片。

展望

　　LED技術因為(wei) 追求更高的效率和更低的製造成本，其發展日新月異。這種“綠色”技術無疑具有光明的未來，但是也麵臨(lin) 著很多挑戰。

　　目前全球對於(yu) LED的需求急速增長，這就要求有新的激光加工工藝與(yu) 技術來獲得更高的生產(chan) 品質，更高的成品率和產(chan) 量。除了激光係統的不斷發展，新的加工技術和應用，光束傳(chuan) 輸與(yu) 光學係統的改進，激光光束與(yu) 材料之間相互作用的新研究，這些都是要保持這個(ge) 綠色技術革新能夠繼續前進所必須的。

　　設備工程師麵臨(lin) 的挑戰是要建立靈活的操作工具。自動盒式裝卸功能、邊緣檢測功能和自動聚焦功能等選項實現了最先進的激光劃片解決(jue) 方案。JPSA公司持續研發激光前沿技術，以滿足LED製造業(ye) 的市場需求。（作者：Jeffrey P. Sercel ）