一，COB封裝
　　目前，LED封裝方法大致可區分為(wei) 透鏡式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type)，其中透鏡的成型可以是模塑成型(Molding)或透鏡黏合成型；而反射杯式芯片則多由混膠、點膠、封裝成型；近年來磊晶、固晶及封裝設計逐漸成熟，LED的芯片尺寸與(yu) 結構逐年微小化，高功率單顆芯片功率達1~3W，甚至是3W以上，當LED功率不斷提升，對於(yu) LED芯片載版及係統電路版的散熱及耐熱要求，便日益嚴(yan) 苛。

     　鑒於(yu) 絕緣、耐壓、散熱與(yu) 耐熱等綜合考量，陶瓷基板成為(wei) 以芯片次黏著技術的重要材料之一。其技術可分為(wei) 厚膜工藝(Thick film)、低溫共燒工藝(LTCC)與(yu) 薄膜工藝(DPC)等方式製成。然而，厚膜工藝與(yu) 低溫共燒工藝，是利用網印技術與(yu) 高溫工藝燒結，易產(chan) 生線路粗糙、對位不精準、與(yu) 收縮比例問題，若針對線路越來越精細的高功率LED產(chan) 品，或是要求對位準確的共晶或覆晶工藝生產(chan) 的LED產(chan) 品而言，厚膜與(yu) 低溫共燒的陶瓷基板，己逐漸不敷使用。

    　為(wei) 此，高散熱係數薄膜陶瓷散熱基板，運用濺鍍、電／化學沉積，以及黃光微影工藝而成，具備金屬線路精準、材料係統穩定等特性，適用於(yu) 高功率、小尺寸、高亮度的LED的發展趨勢，更是解決(jue) 了共晶／覆晶封裝工藝對陶瓷基板金屬線路解析度與(yu) 精確度的嚴(yan) 苛要求。當LED芯片以陶瓷作為(wei) 載板時，此LED模組的散熱瓶頸則轉至係統電路板，其將熱能由LED芯片傳(chuan) 至散熱鰭片及大氣中，隨著LED芯片功能的逐漸提升，材料亦逐漸由FR4轉變至金屬芯印刷電路基板(MCPCB)，但隨著高功率LED的需求進展，MCPCB材質的散熱係數(2~4W/mk)無法用於(yu) 更高功率的產(chan) 品，為(wei) 此，陶瓷電路板(Ceramic circuit board)的需求便逐漸普及，為(wei) 確保LED產(chan) 品在高功率運作下的材料穩定性與(yu) 光衰穩定性，以陶瓷作為(wei) 散熱及金屬佈線基板的趨勢已日漸明朗。陶瓷材料目前成本高於(yu) MCPCB，因此，如何利用陶瓷高散熱係數特性下，節省材料使用麵積以降低生產(chan) 成本，成為(wei) 陶瓷LED發展的重要指標之一。因此，近年來，以陶瓷材料COB設計整合多晶封裝與(yu) 係統線路亦逐漸受到各封裝與(yu) 係統廠商的重視。

    　COB，在電子製造業(ye) 裏並不是一項新鮮的技術，是指直接將裸外延片黏貼在電路板上，並將導線／焊線直接焊接在PCB的鍍金線路上，也是俗稱中的打線(Wire bonding)，再透過封膠的技術，有效的將IC製造過程中的封裝步驟轉移到電路板上直接組裝。在LED產(chan) 業(ye) 中，由於(yu) 現代科技產(chan) 品越來越講究輕薄與(yu) 高可攜性，此外，為(wei) 了節省多顆LED芯片設計的係統板空間問題，在高功率LED係統需求中，便開發出直接將芯片黏貼於(yu) 係統板的COB技術。

   　 COB的優(you) 點在於(yu) ：高成本效益、線路設計簡單、節省係統板空間等，但亦存在著芯片整合亮度、色溫調和與(yu) 係統整合的技術門檻。以25W的LED為(wei) 例，傳(chuan) 統高功率25W的LED光源，須采用25顆1W的LED芯片封裝成25顆LED元件，而COB封裝是將25顆1W的LED芯片封裝在單一芯片中，因此需要的二次光學透鏡將從(cong) 25片縮減為(wei) 1片，有助於(yu) 縮小光源麵積、縮減材料、係統成本，進而可簡化光源係二次光學設計並節省組裝人力成本。此外，高功率COB封裝僅(jin) 需單顆高功率LED即可取代多顆1瓦(含)以上LED封裝，促使產(chan) 品體(ti) 積更加輕薄短小。

　　據了解，目前COB封裝的球泡燈已經占據了LED燈泡40%左右的市場，日本及國內(nei) 很多企業(ye) 都開始走COB封裝模式。業(ye) 內(nei) 人士預測，COB封裝將成為(wei) 未來發展的必然趨勢。

　　雖然COB封裝的呼聲很大，回溫跡象明顯，但前景似乎也並未明朗。“在兩(liang) 三年內(nei) ，COB封裝技術還是不能成為(wei) 主流”浙江億(yi) 米光電科技有限公司研發部的鄒軍(jun) 博士。他補充道，由於(yu) 目前國內(nei) 大部分企業(ye) 還是采用傳(chuan) 統的封裝方式，在技術和成本各種條件的製約，外來技術傳(chuan) 入及普及還需要時間，COB封裝技術還不能很快占據大勢，但不可否認的是，COB封裝技術是目前一個(ge) 強勁的發展方向。

　　一個(ge) 尷尬的境地在於(yu) ，目前應用企業(ye) 對COB集成封裝的需求很少。由於(yu) 上一輪的投入失敗，導致很多照明應用企業(ye) 不敢輕易使用這一封裝方式。據了解，COB封裝技術的瓶頸在於(yu) 如何提高光源的可靠性，及其環境的試用度，然而，目前市場上能量產(chan) COB光源的封裝企業(ye) 不多，而且大多使用鋁基板作為(wei) 材料。鋁基板COB由於(yu) 其熱阻較大，可靠性不高，容易出現光衰和死燈的現象。陶瓷基雖然是COB的理想材料之一，但是由於(yu) 成本高，在功率小於(yu) 2W時成本較高，難於(yu) 被客戶接受。

    “與(yu) 傳(chuan) 統LED封裝技術相比，COB麵板光源光線很柔和，具有非常大的市場，是未來的一個(ge) 發展方向”，日明科技董事長王銳勳表示。

　　“市場上對於(yu) COB光源還處於(yu) 觀望態度，需求不高。小芯片使用較多，大芯片的COB封裝還存在熱阻和光效等諸多問題”，台灣某封裝技術工程師表示。對此，網絡上網友也各執一詞，大部分對COB封裝存在疑惑，不清楚其“是否適合大批量生產(chan) ”。

　　但是目前包括台灣廠商在內(nei) ，能做成高可靠性COB光源的企業(ye) 鳳毛麟角。因此，為(wei) 了增強市場需求，有不少企業(ye) 實行COB封裝與(yu) 應用一體(ti) 化，解決(jue) 產(chan) 品標準不一致的問題。
      
   二， 高壓LED
   
　　在同樣輸出功率下，高壓LED所需的驅動電流大大低於(yu) 低壓LED。如以晶元光電的高壓藍光1WLED為(wei) 例，它的正向壓降高達50V，也即它隻需20mA驅動電流就可以輸出1W功率，而普通正向壓降為(wei) 3V的1WLED，需要350mA驅動電流才能輸出1W功率，因此同樣輸出功率的高壓LED在工作時耗散的功率要遠低於(yu) 低壓LED，這意味著散熱鋁外殼的成本可大大降低。
　　
　　高壓LED可以大幅降低AC-DC轉換效率損失。以10W輸出功率為(wei) 例，如果采用正向壓降為(wei) 50V的1W高壓LED，輸出端可以采取2並4串的配置，4個(ge) 串聯LED的正向壓降為(wei) 200V，也就是說隻需從(cong) 市電220V交流電(AC)利用橋式整流及降20V就可以了。但如果我們(men) 采用正向壓降為(wei) 3V的1W低壓LED，即便10個(ge) 串在一起正向壓降也不過30V，也就是說需要從(cong) 220VAC市電降壓到30VDC。我們(men) 知道，輸入和輸出壓差越低，AC到DC的轉換效率就越高，可見如采用高壓LED，變壓器的效率就可以得到大大提高，從(cong) 而可大幅降低AC-DC轉換時的功率損失，這一熱耗減少又可進一步降低散熱外殼的成本。

　因此，如采用高壓LED來開發LED通用照明燈具產(chan) 品，總體(ti) 功耗可以大大降低，從(cong) 而大幅降低對散熱外殼的設計要求，如我們(men) 可用更薄更輕的鋁外殼就可滿足LED燈具的散熱需求，由於(yu) 散熱鋁外殼的成本是LED照明燈具的主要成本組成部分之一，鋁外殼成本有效降低也意味著整體(ti) LED照明燈具成本的有效降低。由此可見，高壓LED可以帶來LED照明燈具成本和重量的有效降低，但其更重要的意義(yi) 是大幅降低了對散熱係統的設計要求，從(cong) 而有力掃清了LED照明燈具進入室內(nei) 照明市場的最大技術障礙。因此，高壓LED將主導未來的LED通用照明燈具市場。

　　LED企業(ye) 對高壓LED的持續熱情，也伴隨著高壓LED客戶的增加，相比之下，低壓LED芯片麵臨(lin) 著越來越難賣進LED通用照明市場的危險。

　　相比低壓LED，目前比較流行的說法是，高壓LED有兩(liang) 大明顯競爭(zheng) 優(you) 勢：第一，在同樣輸出功率下，高壓LED所需的驅動電流大大低於(yu) 低壓LED。第二，高壓LED可以大幅降低AC-DC轉換效率損失。#p#分頁標題#e#