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LED全球專利的布局概況

星之球激光 來源:中國固態照明網2012-04-20 我要評論(0 )   

LED 領域全球專(zhuan) 利申請共計約十二萬(wan) 餘(yu) 件,其中在日本的專(zhuan) 利申請量最多,其次為(wei) 美國和中國,各主要國家和地區 LED 領域的專(zhuan) 利申請都已突破一萬(wan) 件。 根據 LED 的技術特點和...

        LED領域全球專(zhuan) 利申請共計約十二萬(wan) 餘(yu) 件,其中在日本的專(zhuan) 利申請量最多,其次為(wei) 美國和中國,各主要國家和地區LED領域的專(zhuan) 利申請都已突破一萬(wan) 件。

根據LED的技術特點和行業(ye) 劃分習(xi) 慣,一般將LED領域分成襯底、外延、芯片、封裝、應用等部分。LED全球專(zhuan) 利技術結構布局情況如圖所示,專(zhuan) 利申請40%集中在封裝,其次為(wei) 應用(26%)和外延(17%)領域,襯底和白光的專(zhuan) 利最少。襯底領域的專(zhuan) 利25%集中在藍寶石,其次為(wei) 砷化镓(17%),矽(16%),氮化镓(10%);外延領域的專(zhuan) 利。

從(cong) 有源層材料看,86%集中在III-V族,從(cong) 功能層來看75%集中在n型層,p型層和有源層,其次為(wei) 覆蓋層和緩衝(chong) 層(16%),在電流擴展層和歐盟接觸層等技術分支申請較少;芯片領域的專(zhuan) 利39%集中在電極設計技術,其次為(wei) 反射膜技術(16%)、微結構技術(12%)、芯片外形技術(11%)、襯底鍵合剝離技術(11%),在劃片、增透膜技術、鈍化技術等申請較少;封裝領域的專(zhuan) 利63%集中在基板和封裝體(ti) ,其次為(wei) 散熱(15%)、電極互連(13%)和熒光體(ti) (7%)。專(zhuan) 利申請多集中在封裝和應用領域,這表明LED技術相對比較成熟,開始進入應用階段。

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