1.正向電壓降低，暗光

A：一種是電極與(yu) 發光材料為(wei) 歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

B：一種是電極與(yu) 材料為(wei) 非歐姆接觸，主要發生在芯片電極製備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印，分布位置。

另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾汙等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。

正向壓降低的芯片在固定電壓測試時，通過芯片的電流小，從(cong) 而表現暗點，還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低，正向壓降正常。

2.難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落，打穿電極)

A：打不粘：主要因為(wei) 電極表麵氧化或有膠

B：有與(yu) 發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為(wei) 主。

C：打穿電極：通常與(yu) 芯片材料有關(guan) ，材料脆且強度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極，

D：壓焊調試應從(cong) 焊接溫度，超聲波功率，超聲時間，壓力，金球大小，支架定位等進行調整。

3.發光顏色差異：

A：同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為(wei) 外延片材料問題，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄，生長是很難保證各區域組分一致。(組分決(jue) 定禁帶寬度，禁帶寬度決(jue) 定波長)。

B：GAP黃綠芯片，發光波長不會(hui) 有很大偏差，但是由於(yu) 人眼對這個(ge) 波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由於(yu) 波長是外延片材料決(jue) 定的，區域越小，出現顏色偏差概念越小，故在M/T作業(ye) 中有鄰近選取法。

C：GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃色，這是由於(yu) 其發光機理為(wei) 間接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易產(chan) 生雜質能級偏移和發光飽和，發光是開始變為(wei) 橙黃色。

4.閘流體(ti) 效應;

A：是發光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到一定程度，電流產(chan) 生突變。

B：產(chan) 生閘流體(ti) 現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層，有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性，在使用過程是出於(yu) 兩(liang) 極電壓不夠大，表現為(wei) 不亮，可用測試信息儀(yi) 器從(cong) 晶體(ti) 管圖示儀(yi) 測試曲線，也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問題所致。

5.反向漏電：

A：原因：外延材料，芯片製作，器件封裝，測試一般5V下反向漏電流為(wei) 10UA，也可以固定反向電流下測試反向電壓。

B：不同類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。

C：外延造成的反向漏電主要由PN結內(nei) 部結構缺陷所致，芯片製作過程中側(ce) 麵腐蝕不夠或有銀膠絲(si) 沾附在測麵，嚴(yan) 禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區。