LED電子顯示屏是利用化合物材料製成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的電學特性：I-V特性、C-V特性和光學特性：光譜響應特性、發光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。

　　1、LED電學特性

　　1.1I-V特性表征LED芯片pn結製備性能主要參數。LED的I-V特性具有非線性、整流性質：單向導電性，即外加正偏壓表現低接觸電阻，反之為(wei) 高接觸電阻。

　　(1)正向死區：（圖oa或oa′段）a點對於(yu) V0為(wei) 開啟電壓，當V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對於(yu) 不同LED其值不同，GaAs為(wei) 1V，紅色GaAsP為(wei) 1.2V，GaP為(wei) 1.8V，GaN為(wei) 2.5V。

　　（2）正向工作區：電流IF與(yu) 外加電壓呈指數關(guan) 係

　　IF=IS(eqVF/KT-1)-------------------------IS為(wei) 反向飽和電流。

　　V＞0時，V＞VF的正向工作區IF隨VF指數上升IF=ISeqVF/KT

　　（3）反向死區：V＜0時pn結加反偏壓

　　V=-VR時，反向漏電流IR（V=-5V）時，GaP為(wei) 0V，GaN為(wei) 10uA。

　　（4）反向擊穿區V＜-VR，VR稱為(wei) 反向擊穿電壓；VR電壓對應IR為(wei) 反向漏電流。當反向偏壓一直增加使V＜-VR時，則出現IR突然增加而出現擊穿現象。由於(yu) 所用化合物材料種類不同，各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。

        1.2 C-V特性

　　鑒於(yu) LED的芯片有9×9mil(250×250um)，10×10mil，11×11mil(280×280um)，12×12mil(300×300um)，故pn結麵積大小不一，使其結電容（零偏壓）C≈n+pf左右。

　　C-V特性呈二次函數關(guan) 係。

　　1.3 最大允許功耗PFm

　　當流過LED的電流為(wei) IF、管壓降為(wei) UF則功率消耗為(wei) P=UF×IF#p#分頁標題#e#

　　LED工作時，外加偏壓、偏流一定促使載流子複合發出光，還有一部分變為(wei) 熱，使結溫升高。若結溫為(wei) Tj、外部環境溫度為(wei) Ta，則當Tj＞Ta時，內(nei) 部熱量借助管座向外傳(chuan) 熱，散逸熱量（功率），可表示為(wei) P=KT（Tj-Ta）。

　　1.4 響應時間

　　響應時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢。現有幾種顯示LCD（液晶顯示）約10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都達到10-6~10-7S（us級）。

　　①響應時間從(cong) 使用角度來看，就是LED點亮與(yu) 熄滅所延遲的時間，即圖中tr、tf。圖中t0值很小，可忽略。

　　②響應時間主要取決(jue) 於(yu) 載流子壽命、器件的結電容及電路阻抗。

　　LED的點亮時間--上升時間tr是指接通電源使發光亮度達到正常的10%開始，一直到發光亮度達到正常值的90%所經曆的時間。

　　LED熄滅時間--下降時間tf是指正常發光減弱至原來的10%所經曆的時間。

　　不同材料製得的LED響應時間各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其響應時間＜10-9S，GaP為(wei) 10-7S。因此它們(men) 可用在10~100MHZ高頻係統。