圖一 半導體(ti) 顯示

圖二 半導體(ti) 顯示產(chan) 業(ye) 兩(liang) 大驅動力

圖三 顯示領域各類產(chan) 品預測

圖四 顯示領域的《生存定律》

　科技專(zhuan) 論

　　15年來，顯示領域出現了兩(liang) 次方向性的爭(zheng) 論：上次在2000年前後，當時，彩色顯像管（CRT）產(chan) 業(ye) 正麵臨(lin) 替代危機。下一個(ge) 主流方向是等離子顯示（PDP），還是薄膜晶體(ti) 管液晶顯示（TFT-LCD）？業(ye) 內(nei) 有截然不同的聲音。通過10餘(yu) 年發展，TFT-LCD已成為(wei) 顯示領域主流，結論已定。隨著TFT-LCD和電致發光（EL）技術的進步，有源有機發光顯示（AMOLED）也開始產(chan) 業(ye) 化。另外，柔性顯示（Flexible Display）、激光顯示（Laser Display）等新型顯示技術不斷湧現。目前，新一輪有關(guan) 顯示產(chan) 業(ye) 發展方向的爭(zheng) 論又已開始。為(wei) 此我提出“半導體(ti) 顯示”這一產(chan) 業(ye) 新定義(yi) ，期望對下一步顯示產(chan) 業(ye) 的發展有所幫助。

　　半導體(ti) 技術革命引發的三次偉(wei) 大替代

　　自1879年愛迪生發明燈泡以來，繼而1904年電子管問世，電子器件的進步成為(wei) 全球電子信息產(chan) 業(ye) 發展的關(guan) 鍵推動力。1947年晶體(ti) 管問世，65年來，電子器件領域技術演進史的主脈就是半導體(ti) 技術替代真空電子技術。半導體(ti) 技術革命對電子信息產(chan) 業(ye) 和人類社會(hui) 發展影響最深遠的是三次偉(wei) 大替代：第一次發生在1947年後，主要是信號領域，半導體(ti) 器件逐步替代了電子管，促進了通信、計算機、軟件產(chan) 業(ye) 的發展和互聯網社會(hui) 的到來。第二次替代發生在1991年，TFT-LCD產(chan) 品麵市以後，替代了CRT，成為(wei) 顯示領域主流。第三次替代正蘊釀發生於(yu) 照明領域，其標誌為(wei) 1994年白光LED燈和2012年OLED燈問世。

　　過去10多年裏，TFT-LCD技術脫穎而出，成為(wei) 顯示市場主流，關(guan) 鍵在於(yu) 順應了半導體(ti) 技術替代真空電子技術的大趨勢。15年前，CRT產(chan) 業(ye) 在中國市場還如日中天，但京東(dong) 方已預感到其氣數將盡，決(jue) 定進入新型顯示領域。當時，有人建議進入PDP，也有人推薦場致電發射技術（即FED，真空微電子顯示）。經研究，我們(men) 認為(wei) 無論PDP還是FED依然以真空電子技術為(wei) 基礎，TFT-LCD技術基礎是半導體(ti) ，從(cong) 技術替代大趨勢看，TFT-LCD更有發展前景，從(cong) 而確立了京東(dong) 方正確的戰略發展路徑。

　　半導體(ti) 顯示產(chan) 業(ye) 定義(yi)

　　當前TFT-LCD已成為(wei) 顯示市場主流，新一代顯示技術AMOLED開始產(chan) 業(ye) 化。業(ye) 內(nei) 決(jue) 策者對顯示產(chan) 業(ye) 未來方向與(yu) 路徑又產(chan) 生了新疑問。針對這一問題，我得出的產(chan) 業(ye) 預見是，從(cong) CRT到TFT-LCD是技術的中斷和開始；從(cong) TFT-LCD到AMOLED是技術的延伸和發展。TFT-LCD、AMOLED以及包括柔性顯示等新型顯示技術，它們(men) 的基礎技術都是半導體(ti) 技術，都可統稱為(wei) 半導體(ti) 顯示（Semi-Display）。對於(yu) “半導體(ti) 顯示”這一新名詞，我將其定義(yi) 為(wei) ，通過半導體(ti) 器件獨立控製每個(ge) 最小顯示單元的顯示技術統稱。它有三個(ge) 基本特征：一是以TFT陣列等半導體(ti) 器件獨立控製每個(ge) 顯示單元的狀態；二是采用非晶矽（a-Si）、低溫多晶矽（LTPS）、氧化物（Oxide）、有機（Organic）、碳（Carbon）等具有半導體(ti) 特性的材料；三是采用半導體(ti) 製造工藝。與(yu) 半導體(ti) 顯示技術和產(chan) 品相關(guan) 的材料、裝備、器件和應用終端產(chan) 業(ye) 鏈統稱為(wei) 半導體(ti) 顯示產(chan) 業(ye) 。#p#分頁標題#e#

　　我們(men) 還可以通過TFT-LCD和AMOLED結構比較說明上述定義(yi) 。TFT-LCD有6個(ge) 部分組成：偏光片、彩膜、液晶、半導體(ti) 背板、偏光片、背光源。頂發光AMOLED有3個(ge) 部分組成：密封層、有機發光層、半導體(ti) 背板。盡管AMOLED器件結構簡單，但其最重要部分半導體(ti) 背板是從(cong) TFT-LCD技術基礎上發展來的，兩(liang) 者半導體(ti) 顯示的基本特征和技術基礎並沒有改變。多年技術進步和應用驅動，TFT-LCD半導體(ti) 背板技術已從(cong) 第一代a-Si發展到第二代LTPS和第三代Oxide，從(cong) 而為(wei) LTPS-AMOLED和Oxide-AMOLED這兩(liang) 類主流AMOLED技術發展提供了基礎支撐。從(cong) 目前兩(liang) 者材料、工藝和裝備等方麵分析，它們(men) 之間技術相關(guan) 性和資源共享性高達70%。所以我們(men) 說從(cong) TFT-LCD到AMOLED是技術的延伸和發展（見圖一）。