發光二極管有紅外（非可見）與(yu) 可見光兩(liang) 個(ge) 係列，前者可用輻射度，後者可用光度學來量度其光學特性。

　　1 發光法向光強及其角分布Iθ

　　發光強度（法向光強）是表征發光器件發光強弱的重要性能。LED大量應用要求是圓柱、圓球封裝，由於(yu) 凸透鏡的作用，故都具有很強指向性：位於(yu) 法向方向光強最大，其與(yu) 水平麵交角為(wei) 90°。當偏離正法向不同θ角度，光強也隨之變化。發光強度隨著不同封裝形狀而強度依賴角方向。

　　發光強度的角分布Iθ是描述LED發光在空間各個(ge) 方向上光強分布。它主要取決(jue) 於(yu) 封裝的工藝（包括支架、模粒頭、環氧樹脂中添加散射劑與(yu) 否）

　　⑴為(wei) 獲得高指向性的角分布

　　①LED管芯位置離模粒頭遠些；

　　②使用圓錐狀（子彈頭）的模粒頭；

　　③封裝的環氧樹脂中勿加散射劑。

　　采取上述措施可使LED2θ1/2=6°左右，大大提高了指向性。

　　⑵當前幾種常用封裝的散射角（2θ1/2角）圓形LED：5°、10°、30°、45°

　　2 發光峰值波長及其光譜分布

　　⑴LED發光強度或光功率輸出隨著波長變化而不同，繪成一條分布曲線--光譜分布曲線。當此曲線確定之後，器件的有關(guan) 主波長、純度等相關(guan) 色度學參數亦隨之而定。

　　LED的光譜分布與(yu) 製備所用化合物半導體(ti) 種類、性質及pn結結構（外延層厚度、摻雜雜質）等有關(guan) ，而與(yu) 器件的幾何形狀、封裝方式無關(guan) 。

　　下圖繪出幾種由不同化合物半導體(ti) 及摻雜製得LED光譜響應曲線。其中LED光譜分布曲線

       1藍光InGaN/GaN2綠光GaP：N3紅光GaP：Zn-O

　　4紅外GaAs5Si光敏光電管6標準鎢絲(si) 燈

　　①是藍色InGaN/GaN發光二極管，發光譜峰λp=460～465nm；

　　②是綠色GaP：N的LED，發光譜峰λp=550nm；

　　③是紅色GaP：Zn-O的LED，發光譜峰λp=680～700nm；

　　④是紅外LED使用GaAs材料，發光譜峰λp=910nm；

　　⑤是Si光電二極管，通常作光電接收用。

　　由圖可見，無論什麽(me) 材料製成的LED，都有一個(ge) 相對光強度最強處（光輸出最大），與(yu) 之相對應有一個(ge) 波長，此波長叫峰值波長，用λp表示。隻有單色光才有λp波長。

　　⑵譜線寬度：在LED譜線的峰值兩(liang) 側(ce) ±△λ處，存在兩(liang) 個(ge) 光強等於(yu) 峰值（最大光強度）一半的點，此兩(liang) 點分別對應λp-△λ，λp+△λ之間寬度叫譜線寬度，也稱半功率寬度或半高寬度。

　　半高寬度反映譜線寬窄，即LED單色性的參數，LED半寬小於(yu) 40nm。

　　⑶主波長：有的LED發光不單是單一色，即不僅(jin) 有一個(ge) 峰值波長；甚至有多個(ge) 峰值，並非單色光。為(wei) 此描述LED色度特性而引入主波長。主波長就是人眼所能觀察到的，由LED發出主要單色光的波長。單色性越好，則λp也就是主波長。

　　如GaP材料可發出多個(ge) 峰值波長，而主波長隻有一個(ge) ，它會(hui) 隨著LED長期工作，結溫升高而主波長偏向長波