3 光通量
光通量F是表征LED總光輸出的輻射能量,它標誌器件的性能優(you) 劣。F為(wei) LED向各個(ge) 方向發光的能量之和,它與(yu) 工作電流直接有關(guan) 。隨著電流增加,LED光通量隨之增大。可見光LED的光通量單位為(wei) 流明(lm)。
LED向外輻射的功率--光通量與(yu) 芯片材料、封裝工藝水平及外加恒流源大小有關(guan) 。目前單色LED的光通量最大約1lm,白光LED的F≈1.5~1.8lm(小芯片),對於(yu) 1mm×1mm的功率級芯片製成白光LED,其F=18lm。
4 發光效率和視覺靈敏度
①LED效率有內(nei) 部效率(pn結附近由電能轉化成光能的效率)與(yu) 外部效率(輻射到外部的效率)。前者隻是用來分析和評價(jia) 芯片優(you) 劣的特性。
LED光電最重要的特性是用輻射出光能量(發光量)與(yu) 輸入電能之比,即發光效率。
②視覺靈敏度是使用照明與(yu) 光度學中一些參量。人的視覺靈敏度在λ=555nm處有一個(ge) 最大值680lm/w。若視覺靈敏度記為(wei) Kλ,則發光能量P與(yu) 可見光通量F之間關(guan) 係為(wei) P=∫Pλdλ;F=∫KλPλdλ
③發光效率--量子效率η=發射的光子數/pn結載流子數=(e/hcI)∫λPλdλ
若輸入能量為(wei) W=UI,則發光能量效率ηP=P/W
若光子能量hc=ev,則η≈ηP,則總光通F=(F/P)P=KηPW式中K=F/P
④流明效率:LED的光通量F/外加耗電功率W=KηP
它是評價(jia) 具有外封裝LED特性,LED的流明效率高指在同樣外加電流下輻射可見光的能量較大,故也叫可見光發光效率。
以下列出幾種常見LED流明效率(可見光發光效率):
LED發光顏色λp(nm)材料可見光發光效率(lm/w)外量子效率
最高值平均值
紅光700660650GaP:Zn-OGaAlAsGaAsP2.40.270.38120.50.51~30.30.2
黃光590GaP:N-N0.450.1
綠光555GaP:N4.20.70.015~0.15
藍光465GaN10
白光譜帶GaN+YAG小芯片1.6,大芯片18
品質優(you) 良的LED要求向外輻射的光能量大,向外發出的光盡可能多,即外部效率要高。事實上,LED向外發光僅(jin) 是內(nei) 部發光的一部分,總的發光效率應為(wei)
η=ηiηcηe,式中ηi向為(wei) p、n結區少子注入效率,ηc為(wei) 在勢壘區少子與(yu) 多子複合效率,ηe為(wei) 外部出光(光取出效率)效率。
由於(yu) LED材料折射率很高ηi≈3.6。當芯片發出光在晶體(ti) 材料與(yu) 空氣界麵時(無環氧封裝)若垂直入射,被空氣反射,反射率為(wei) (n1-1)2/(n1+1)2=0.32,反射出的占32%,鑒於(yu) 晶體(ti) 本身對光有相當一部分的吸收,於(yu) 是大大降低了外部出光效率。
為(wei) 了進一步提高外部出光效率ηe可采取以下措施:①用折射率較高的透明材料(環氧樹脂n=1.55並不理想)覆蓋在芯片表麵;②把芯片晶體(ti) 表麵加工成半球形;③用Eg大的化合物半導體(ti) 作襯底以減少晶體(ti) 內(nei) 光吸收。有人曾經用n=2.4~2.6的低熔點玻璃[成分As-S(Se)-Br(I)]且熱塑性大的作封帽,可使紅外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高4~6倍。
5 發光亮度
亮度是LED發光性能又一重要參數,具有很強方向性。其正法線方向的亮度BO=IO/A,指定某方向上發光體(ti) 表麵亮度等於(yu) 發光體(ti) 表麵上單位投射麵積在單位立體(ti) 角內(nei) 所輻射的光通量,單位為(wei) cd/m2或Nit。
若光源表麵是理想漫反射麵,亮度BO與(yu) 方向無關(guan) 為(wei) 常數。晴朗的藍天和熒光燈的表麵亮度約為(wei) 7000Nit(尼特),從(cong) 地麵看太陽表麵亮度約為(wei) 14×108Nit。
LED亮度與(yu) 外加電流密度有關(guan) ,一般的LED,JO(電流密度)增加BO(亮度)也近似增大。另外,亮度還與(yu) 環境溫度有關(guan) ,環境溫度升高,ηc(複合效率)下降,BO減小。當環境溫度不變,電流增大足以引起pn結結溫升高,溫升後,亮度呈飽和狀態。
6 壽命
老化:LED發光亮度隨著長時間工作而出現光強或光亮度衰減現象。器件老化程度與(yu) 外加恒流源的大小有關(guan) ,可描述為(wei) Bt=BOe-t/τ,Bt為(wei) t時間後的亮度,BO為(wei) 初始亮度。
通常把亮度降到Bt=1/2BO所經曆的時間t稱為(wei) 二極管的壽命。測定t要花很長的時間,通常以推算求得壽命。測量方法:給LED通以一定恒流源,點燃103~104小時後,先後測得BO,Bt=1000~10000,代入Bt=BOe-t/τ求出τ;再把Bt=1/2BO代入,可求出壽命t。
長期以來總認為(wei) LED壽命為(wei) 106小時,這是指單個(ge) LED在IF=20mA下。隨著功率型LED開發應用,國外學者認為(wei) 以LED的光衰減百分比數值作為(wei) 壽命的依據。如LED的光衰減為(wei) 原來35%,壽命>6000h。
轉載請注明出處。







相關文章
熱門資訊
精彩導讀



















關注我們

