2-3微米波段半導體(ti) 激光器在光譜分析、氣體(ti) 檢測、醫學檢查等方麵具有重要的應用。InP襯底上不含銻量子阱激光器與(yu) GaSb基含銻量子阱激光器相比具有工藝成熟穩定、熱導率高、襯底價(jia) 格低、質量好、易獲得等優(you) 點。

　　中科院上海微係統與(yu) 信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室化合物半導體(ti) 方向的研究人員通過在InP襯底上采用氣態源分子束外延方法生長高質量的異變緩衝(chong) 層，並在其上構築不含銻的InAs多量子阱結構，成功研製出激射波長達2.7微米的激光器，這是目前國際上InP基不含銻量子阱激光器所能實現的最長激射波長。該工作已在Applied Physics Letters上發表，並引起國際上的廣泛關(guan) 注，半導體(ti) 領域知名雜誌Semiconductor Today也對此作了專(zhuan) 題報道。