羅芬激光，世界領先的工業(ye) 激光器和激光係統製造商推出前道工序（FEOL）處理交鑰匙解決(jue) 方案，進入半導體(ti) 市場。新的激光晶圓處理係統Waferlase®200/300/450，是一個(ge) 全自動的模塊化平台，包含市場領先的（超）薄半導體(ti) 晶片傳(chuan) 送係統，以及可以根據應用的類型選擇激光處理模組。Waferlase®200/300/450（8”/12”/18”wafer size）產(chan) 品係列從(cong) 提供IGBT晶圓激光退火和激光晶圓ID 軟打標方案開始。

領先的超薄晶片自動化傳(chuan) 送技術

羅芬集成了上接觸晶圓傳(chuan) 送技術，即使晶片有較大的翹曲和彎曲，也能提供精確的無接觸式超薄晶圓傳(chuan) 輸。為(wei) 開放式標準晶舟或FOUP晶片承載係統，配有兩(liang) 個(ge) 或多個(ge) 標準盒端口。集成的掃描頭，檢測晶片在晶舟的精確位置。全麵而易於(yu) 使用的係統軟件控製晶舟slot的分配，晶片彎曲測量，晶片位置以及ID檢測，甚至由於(yu) 萬(wan) 一晶圓損壞處理而會(hui) 自動改變晶片拾取和放置的順序，例如由於(yu) 大麵積的或相鄰晶圓的相反方向的彎曲。一個(ge) 高端的雙臂機器人負責裝卸晶片。前置校準器（對邊器）對wafer中心和邊緣排列晶片。末端受動器和前置校準器之間的“真空握手”區域，包含的矽片保護裝置，以確保其背麵無損傷(shang) 傳(chuan) 送。因此，羅芬Waferlase®200/300/450將高端的技術和先進的控製軟件集成其中，在幾乎可以忽略不計的矽片破損率下確保最大生產(chan) 量。

IGBT 晶圓激光退火

由於(yu) IGBT相比與(yu) 其他晶體(ti) 管器件相比有顯著的優(you) 勢，如高電壓能力，導通電阻低，易於(yu) 驅動，開關(guan) 速度快，耐用性等，絕緣柵雙極型晶體(ti) 管（IGBT）的市場正在不斷增長。

這個(ge) 市場增長的關(guan) 鍵因素之一，是由於(yu) 在汽車和工業(ye) 應用領域，包括可再生能源，通訊，醫療，照明和交通運輸的需求大幅增加。

IGBT是在一個(ge) 標準的厚度為(wei) 100微米或更小的機械化變薄的晶片上製造出來的。為(wei) 了在晶片的背麵形成場闌和/或發射極層，深層注入的摻雜元素（如磷或硼），必須高溫退火的過程中被激活，直到FEOL的最後處理產(chan) 線。很多時候，矽片正麵的敏感裝置是粘膠帶保護的。由於(yu) 膠帶的損傷(shang) 溫度低，正麵裝置的熱感應器，以及在處理腔中不均勻的熱分布，使常規烤箱激活水平低和速度慢。羅芬激光退火工藝已經能夠克服這些問題，工藝穩定性明顯更高，並且生產(chan) 成本低，晶片質量優(you) 。激光退火能夠深層激活摻雜物，同時防止損壞晶片的正麵和保護帶。激光允許在最多2微米範圍內(nei) ，為(wei) 場闌和/或發射極層的激活的精準深度控製。 羅芬IGBT激光退火方法激活率超過90％，遠遠優(you) 於(yu) 傳(chuan) 統的方式。

矽片打標

羅芬Waferlase®200/300/450係統可在透明，半透明，不透明的晶圓材料上打上可追蹤ID標記。有兩(liang) 種方法 – 激光硬打標和軟打標 - 這是根據打標的處理方式，深度和位置的不同所決(jue) 定的。在潔淨室環境中的激光軟打標，可由矽晶片表麵的熔化實現。

羅芬正在申請的專(zhuan) 利新技術，使用戶可以精確的控製打標深度從(cong) 小於(yu) 1微米到7微米不等。激光軟打標過程使用一個(ge) 特製的IC打標激光源，其波長為(wei) 532 nm。這種專(zhuan) 用的解決(jue) 方案，實現了高對比度，對標記小字符具有優(you) 異的表現。